[发明专利]一种高性能多主相Ce基纳米晶磁体的制备方法

权利要求书

1.一种高性能多主相Ce基纳米晶磁体的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

1）采用熔体快淬法制备CeFeB合金薄带和低熔点Ce-Nd-Cu合金薄带，转速为5~35 m/s；

2）将步骤（1）获得的CeFeB和Ce-Nd-Cu合金薄带及Fe₂B合金粉末按照1：0. 03~0.09：0.03~0.09的质量比进行混合，并在低温液氮和氢气正压气氛下高能球磨5~35 h，实现CeFeB合金全部或部分的氢化-歧化，获得颗粒尺寸小于400 nm的Fe₂B合金粉末和Ce-Nd-Cu粉末合金及颗粒尺寸小于200 nm并由Ce₂Fe₁₄B相、歧化相CeH_2±x、α-Fe和Fe₂B共同组成的CeFeB合金粉末；

3）将步骤2）获得的纳米混合磁粉放入硬质合金模具中进行放电等离子烧结制得全致密的多硬磁主相Ce基纳米晶永磁体；

4）将步骤3）获得的烧结后多硬磁主相Ce基纳米晶永磁体进行激光加热热处理，实现纳米晶磁体晶界润滑和扩散的均匀化，获得高性能多主相Ce基纳米晶磁体，所述激光加热热处理的升温速率为50~100 ℃/s，热处理温度为400~800 ℃，保温时间为5~30 min。

2.根据权利要求1 所述的一种高性能多主相Ce基纳米晶磁体的制备方法，其特征在于：步骤（1）中所述的CeFeB合金为Ce₂Fe₁₄B合金、Ce₁₇Fe₇₈B₅合金、Ce₁₃Fe₈₁B₆合金、Ce₇Fe₈₈B₅合金、Ce₁₇Fe₇₇Co₁B₅合金或Ce₁₇Fe₇₆Co₁Zr₁B₅合金中的一种或几种。

3.根据权利要求1 所述的一种高性能多主相Ce基纳米晶磁体的制备方法，其特征在于：步骤（1）中所述的低熔点Ce-Nd-Cu合金为按原子百分比的Ce_aNd_100-a-bCu_b，a和b满足以下关系：25≤a≤50，25≤b≤50。

4.根据权利要求1 所述的一种高性能多主相Ce基纳米晶磁体的制备方法，其特征在于：步骤（2）中所述的氢气正压气氛的正压强度为0~1 MPa。

5.根据权利要求1 所述的一种高性能多主相Ce基纳米晶磁体的制备方法，其特征在于：步骤（3）中所述的放电等离子烧结的具体工艺参数为：烧结温度400~700 ℃，压力30~450 MPa，升温速率50~150 ℃/min，烧结保温时间1~5 min。