[发明专利]一种基于二氧化钒的太赫兹动态相位调制器有效
| 申请号： | 201910704432.3 | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN110515223B | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 梁华杰;张雅鑫;杨梓强;梁士雄;施奇武 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G02F1/00 | 分类号： | G02F1/00;H01P1/18;H01Q3/30 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氧化 赫兹 动态 相位 调制器 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于二氧化钒的太赫兹动态相位调制器，包括介质基板，其特征在于，还包括位于介质基板上的、带镂空圆孔的金属层，形成于镂空圆孔之中的二氧化钒-金属混合控制结构；其中，所述二氧化钒-金属混合控制结构包括“工”字形金属，以及设置于“工”字形金属四个端点的二氧化钒；通过外加激光控制二氧化钒的电导率，实现相位调制器的谐振频率变化，进而调制入射电磁波的相位。
2.根据权利要求1所述的基于二氧化钒的太赫兹动态相位调制器，其特征在于，所述介质基板为蓝宝石、硅、高阻硅、GaAs或碳化硅。
3.根据权利要求1所述的基于二氧化钒的太赫兹动态相位调制器，其特征在于，所述“工”字形金属材料为Au、Ag、Cu或Al。
4.根据权利要求1所述的基于二氧化钒的太赫兹动态相位调制器，其特征在于，所述二氧化钒-金属混合控制结构的面积占镂空圆孔面积的1/4～4/5。
5.根据权利要求1所述的基于二氧化钒的太赫兹动态相位调制器，其特征在于，所述二氧化钒的长度a＝1/8b～1/2b，其中b为“工”字形金属的长度。
6.根据权利要求1所述的基于二氧化钒的太赫兹动态相位调制器，其特征在于，所述“工”字形金属位于镂空圆孔的中心。
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