[发明专利]一种多量子阱蓝光探测器及制备方法与应用

权利要求书

1.一种多量子阱蓝光探测器，其特征在于，包括从下到上依次排布的衬底、缓冲层、GaN/InGaN多量子阱层和金属层电极，缓冲层为从下到上依次排布的AlN层、AlGaN层和GaN层，GaN/InGaN多量子阱层为在缓冲层上依次交替生长的GaN层和InGaN层，交替生长的周期为6~8，GaN层的厚度为12~15 nm，InGaN层的厚度为3~5nm。

2.根据权利要求1所述的多量子阱蓝光探测器，其特征在于，衬底为Si衬底。

3.根据权利要求1所述的多量子阱蓝光探测器，其特征在于，AlN层、AlGaN层和GaN层的厚度分别为300~400 nm、600~700 nm、3~4 μm。

4.根据权利要求1所述的多量子阱蓝光探测器，其特征在于，金属层电极的形状为叉指电极；金属层电极为Ti/Ni/Au金属层，Ti/Ni/Au金属层为从下到上排布的Ti金属层、Ni金属层和Au金属层，Ti金属层的厚度为20~30nm、Ni金属层的厚度为100~110nm，Au金属层的厚度为100~110nm。

5.制备权利要求1至4任一项所述多量子阱蓝光探测器的方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）采用 MOCVD方法在衬底上生长缓冲层，再在缓冲层上生长InGaN /GaN多量子阱层；

（2）在GaN/InGaN多量子阱层上进行光刻，在GaN/InGaN多量子阱层上表面匀胶、烘干、曝光、显影和氧离子处理，确定电极形状，并通过蒸镀工艺将金属层电极蒸镀在GaN/InGaN多量子阱层上表面。

6.根据权利要求5所述的制备多量子阱蓝光探测器的方法，其特征在于，采用MOCVD方法在衬底上从下到上依次外延生长AlN层、AlGaN层和GaN层的温度分别为1100~1200℃、1100~1200℃和1000~1150℃。

7.根据权利要求5所述的制备多量子阱蓝光探测器的方法，其特征在于，采用MOCVD方法在缓冲层上生长GaN/InGaN多量子阱层的温度为600~750℃。

8.根据权利要求5所述的制备多量子阱蓝光探测器的方法，其特征在于，烘干时间为40~50 s，曝光时间为5~10 s，显影时间为40~50 s，氧离子处理时间为2~3 min。

9.根据权利要求5所述的制备多量子阱蓝光探测器的方法，其特征在于，金属层电极的蒸镀速率为0.23~0.28 nm/min。

10.权利要求1所述的多量子阱蓝光探测器在蓝光探测中的应用。