[发明专利]一种量子点发光二极管的驱动方法、驱动装置及显示装置

说明书

本发明公开了一种量子点发光二极管的驱动方法、驱动装置、显示装置及计算机可读存储介质，所述量子点发光二极管的空穴传输层与量子点发光层的价带能级差小于0.5eV时，在正向驱动信号结束时，向所述量子点发光二极管发送一空置驱动信号，所述量子点发光二极管的量子点类型为蓝色量子点时，在正向驱动信号结束时，向所述量子点发光二极管发送一反向驱动信号，从而改变量子点发光二极管内缺陷势阱的势垒，以加速限制和聚集于势阱中的电荷的消除，达到延长量子点发光二极管寿命的目的。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种量子点发光二极管的驱动方法、驱动装置、显示装置及计算机可读存储介质。

背景技术

量子点发光二极管(QLED)是具有高显示性能和印刷显示适应性的下一代显示技术，然而QLED的寿命一直是制约其广泛应用的瓶颈。除了对材料、器件、制备工艺的优化以外，驱动QLED也是一种可以减缓QLED光强衰减，增强QLED使用寿命的方法。QLED是一般需要空穴传输层、量子点发光层、电子传输层构成。由于每层的能级不同，因此存在能级差，在QLED的工作中，电荷会聚集在有能级差的界面，特别是与量子点发光层接触的界面，能够很大的影响量子点的发光特性。从而减低发光光强。另一方面，在每种材料内部，例如量子点的表面，传输层材料分子之间都存在大量的缺陷，这些缺陷也是限制载流子的原因。随着QLED的工作时间增加，越来越多的电荷限制到缺陷中，作为淬灭光子的中心，极大的减低发光光强。因此如何消除限制和聚集在势阱中的电荷，提高量子点发光二极管寿命的问题还亟待解决。

因而现有技术还有待改进和提高。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足之处，本发明的目的在于提供一种量子点发光二极管的驱动方法、驱动装置、显示装置及计算机可读存储介质，以加速限制和聚集于势阱中的电荷的消除，从而达到延长量子点发光二极管寿命的目的。

为了达到上述目的，本发明实施例提供了一种量子点发光二极管的驱动方法，所述量子点发光二极管的空穴传输层与量子点发光层的价带能级差小于0.5eV；所述驱动方法包括：当正向驱动信号结束时，向所述量子点发光二极管发送一空置驱动信号。

可选的，所述驱动方法包括：当每一驱动周期内的正向驱动信号结束时，向所述量子点发光二极管发送一空置驱动信号。

可选的，所述量子点发光二极管的空穴传输层与量子点发光层的价带能级差为0.2-0.3eV。

可选的，每个驱动周期内，所有空置驱动信号的驱动时间之和占每个驱动周期的时间百分比为1％～99％。

可选的，所述量子点发光二极管的量子点外壳材料为II-VI族半导体材料。

可选的，所述II-VI族半导体材料包括ZnS、CdS中的至少一种。

可选的，所述量子点发光二极管的量子点类型为蓝色量子点。

可选的，所述驱动方法还包括：

在所述正向驱动信号结束之前，获取正向驱动信号的驱动参数，所述驱动参数包括驱动时间、驱动电压以及驱动电流中的至少一项；

所述向所述量子点发光二极管发送一空置驱动信号的步骤之前还包括：

根据所述驱动参数生成对应的所述空置驱动信号。

可选的，所述空置驱动信号的占空比与所述驱动电压、所述驱动电流或者所述驱动时间呈正相关关系。可选的，所述根据所述驱动参数生成对应的所述空置驱动信号，包括：

当所述驱动电压大于预设的电压阈值时，增加所述空置驱动信号的占空比；或者，

当所述驱动电流大于预设的电流阈值时，增加所述空置驱动信号的占空比；或者，