[发明专利]超低导通电阻LDMOS及其制作方法

权利要求书

1.一种超低导通电阻LDMOS的制作方法，包括P体区光罩版的版图制作步骤和闸极光罩版的版图制作步骤，所述P体区光罩版包括第一P体区区域，所述闸极光罩版包括第一闸极区域，所述第一P体区区域与所述第一闸极区域相邻且位置相切，其特征在于，所述P体区光罩版还包括第二P体区区域，所述第二P体区区域为以所述第一P体区区域的中心点位置为中心，在所述第一P体区区域的四个方向分别增大一预设长度，在靠近所述第一闸极区域的一侧扣除所述第一闸极区域的部分；

所述制作方法还包括以下步骤：

使用所述P体区光罩版进行P体区光罩版闸极刻蚀，以形成P体区窗口。

2.如权利要求1所述的超低导通电阻LDMOS的制作方法，其特征在于，所述预设长度在0.8um～10um之间。

3.如权利要求1所述的超低导通电阻LDMOS的制作方法，其特征在于，所述第二P体区区域在远离所述第一闸极区域的一侧延伸至所述P体区光罩版的边缘。

4.如权利要求1所述的超低导通电阻LDMOS的制作方法，其特征在于，所述闸极光罩版还包括第二闸极区域，所述第二闸极区域包括所述第一闸极区域与所述第一P体区区域；

所述制作方法还包括使用所述闸极光罩版进行闸极光罩版闸极刻蚀，以形成闸极。

5.如权利要求4所述的超低导通电阻LDMOS的制作方法，其特征在于，在所述P体区光罩版闸极刻蚀步骤之前，还包括以下步骤：

制备P型衬底；

在所述P型衬底内通过有源区光罩光刻、刻蚀、化学机械抛光形成浅沟槽隔离；

在所述P型衬底内通过N-漂移区光罩光刻、刻蚀、离子注入形成N-漂移区；

在所述P型衬底上表面生长闸极氧化物，进行闸极淀积以形成闸极层；

在所述闸极层上涂覆第一光刻胶。

6.如权利要求5所述的超低导通电阻LDMOS的制作方法，其特征在于，在所述P体区光罩版的闸极刻蚀步骤之后，所述闸极光罩版闸极刻蚀之前还包括以下步骤：

通过所述P体区窗口大角度注入离子，以在所述P型衬底内形成P体区，去除所述第一光刻胶；

在所述P型衬底的上表面涂覆第二光刻胶；

所述闸极光罩版闸极刻蚀之后还包括以下步骤：

去除所述第二光刻胶。

7.一种超低导通电阻LDMOS，其特征在于，所述超低导通电阻LDMOS使用如权利要求1至6任一项所述的超低导通电阻LDMOS的制作方法制作而成。