[发明专利]存储器装置和控制存储器装置的方法

说明书

本申请实施例涉及存储器装置和控制存储器装置的方法。一种存储器装置包含：存储器单元阵列，其具有多个存储器单元，其中所述多个存储器单元中的每一个包含第一端口；第一控制电路，其安置于所述存储器单元阵列的第一侧上且经布置以电连接到所述多个第一端口；以及第二控制电路，其安置于所述存储器单元阵列的第二侧上且经布置以电连接到所述多个第一端口；其中所述存储器单元阵列的所述第二侧与所述第一侧相对。

技术领域

本申请实施例涉及存储器装置和控制存储器装置的方法。

背景技术

半导体存储器为基于半导体的集成电路上实施的电子数据存储装置。半导体存储器是以许多不同类型和技术来制作。半导体存储器具有比其它类型的数据存储技术快得多的存取时间。举例来说，数据的字节通常可在数纳秒内写入到半导体存储器或从半导体存储器读取，而旋转存储装置(例如硬盘)的存取时间处于毫秒范围内。出于这些及其它原因，半导体存储器用作计算机存储器保持所述计算机目前作用于的数据的主要存储机构，以及其它用途。

静态随机存取存储器(SRAM)常用于集成电路中。嵌入式SRAM在高速通信、图像处理和系统单芯片(SOC)应用中特别流行。SRAM单元具有保持数据而不需要刷新的有利特征。通常，SRAM单元包含两个传递栅极晶体管，通过所述晶体管可从SRAM单元读取位或将位写入SRAM单元。此类型的SRAM单元称为单端口SRAM单元。另一类型的SRAM单元称为双端口SRAM单元，其包含四个传递栅极晶体管。

发明内容

本申请的实施例涉及一种存储器装置，其包括：存储器单元阵列，其具有多个存储器单元，其中所述多个存储器单元中的每一个包括第一端口；第一控制电路，其安置于所述存储器单元阵列的第一侧上且经布置以电连接到所述多个第一端口；以及第二控制电路，其安置于所述存储器单元阵列的第二侧上且经布置以电连接到所述多个第一端口；其中所述存储器单元阵列的所述第二侧与所述第一侧相对。

本申请的实施例涉及一种存储器装置，其包括：存储器单元阵列，其具有多个存储器单元，其中所述多个存储器单元中的每一个包括第一端口和第二端口；第一控制电路，其安置于所述存储器单元阵列的第一侧上且经布置以电连接到所述多个第一端口；以及第二控制电路，其安置于所述存储器单元阵列的所述第一侧上且经布置以电连接到所述多个第二端口；其中所述多个第一端口不同于所述多个第二端口。

本申请的实施例涉及一种控制存储器装置的方法，其包括：在读取操作期间将第一位线的第一节点预充电到第一电压电平，其中所述第一位线从所述存储器装置中的存储器单元阵列的第一侧延伸到所述存储器单元阵列的第二侧，所述存储器单元阵列的所述第二侧与所述第一侧相对，且所述第一位线电连接到所述存储器单元阵列中的多个存储器单元；在所述读取操作期间将第二位线的第一节点预充电到第二电压电平，其中所述第二位线从所述存储器单元阵列的所述第一侧延伸到所述存储器单元阵列的所述第二侧，且所述第二位线电连接到所述存储器单元阵列中的所述多个存储器单元；在所述读取操作期间将所述第一位线的第二节点预充电到所述第一电压电平；以及在所述读取操作期间将所述第二位线的第二节点预充电到所述第二电压电平。

附图说明

当结合附图阅读时从以下详细描述会最好地理解本发明实施例的各方面。应注意，根据行业中的标准惯例，各种特征未按比例绘制。实际上，为了论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1是说明根据一些实施例的存储器装置的图。

图2是说明根据一些实施例的存储器单元的示意图。

图3是说明根据一些实施例的图1的存储器装置的一部分的示意图。

图4是说明根据一些实施例的图1的存储器装置的一部分的示意图。

图5是说明根据一些实施例的图1的存储器装置的一部分的示意图。