[发明专利]一种晶体硅电池及其导电浆料

权利要求书

1.一种晶体硅电池，其特征在于，包括正面金属电极、正面钝化减反射层、衬底、氧化物薄层、多晶硅层、背面钝化减反射层及背面金属电极，所述正面减反射层、衬底、氧化物薄层、多晶硅层及所述背面钝化减反射层依次层叠设置，所述背面金属电极穿过所述背面钝化减反射膜而和所述多晶硅层形成欧姆接触，所述多晶硅层中掺杂有硼元素，所述背面金属电极由导电浆料制成，按质量百分比计，所述导电浆料包括如下组分：

银粉 30~90%；

有机物载体 20~40%；

含III族元素的粉末 0.5~30%；

玻璃粉 1~10%；

其中，所述含III族元素的粉末包含除铝以外的III族元素中的一种或几种，所述的银粉、含III族元素的粉末及所述玻璃粉分散在所述有机物载体中；

所述晶体硅电池由如下步骤制得：

在P型硅片的背面生长氧化物薄层；

在P型硅片背面沉积多晶硅层，所述多晶硅层的厚度为0.02~0.2μm；

对P型硅片背面的多晶硅层进行硼扩散；

利用链式清洗机，在硼掺杂面形成水膜，以漂浮的方式通过HF和去离子水的混合溶液；

对P型硅片的正面进行磷掺杂；

利用链式清洗机，在磷掺杂面形成水膜，以漂浮的方式通过HF和去离子水的混合溶液；

在硅片的硼掺杂面沉积AlOx层；

在硅片的背面和正面分别沉积背面钝化减反射层和正面钝化减反射层；

在硅片的背面印刷所述导电浆料，在硅片的正面印刷银浆，烧结。

2.根据权利要求1所述的晶体硅电池，其特征在于，所述衬底具有P型硅基体，所述P型硅基体的正面上形成有磷掺杂层，所述正面钝化减反射层形成于所述磷掺杂层上，所述正面金属电极穿过所述正面钝化减反射层而和所述磷掺杂层形成欧姆接触；所述氧化物薄层为形成于所述P型硅基体背面的氧化硅薄层。

3.根据权利要求1所述的晶体硅电池，其特征在于，所述含III族元素的粉末为硼粉、镓粉、铟粉、铊粉中的一种或几种的混合物。

4.根据权利要求1所述的晶体硅电池，其特征在于，所述含III族元素的粉末为III族元素粉末和铜粉的混合物，所述III族元素粉末为硼粉、镓粉、铟粉、铊粉中的一种或几种的混合物。

5.根据权利要求1所述的晶体硅电池，其特征在于，所述有机物载体为卡必醇、萜品醇、己基卡必醇、特神龙、丁基卡必 醇、丁基卡必醇乙酸酯、己二酸二甲酯或二醇醚中的至少一者。

6.根据权利要求1所述的晶体硅电池，其特征在于，按质量百分比计，所述导电浆料包括如下组分：

银粉 50~70%；

有机物载体 20~30%；

含III族元素的粉末 5~10%；

玻璃粉 2~8%。