[发明专利]一种晶硅电池片链式碱抛光生产线以及链式碱抛光方法在审

专利信息
申请号: 201910697652.8 申请日: 2019-07-30
公开(公告)号: CN110534408A 公开(公告)日: 2019-12-03
发明(设计)人: 吴章平;崔水炜 申请(专利权)人: 苏州昊建自动化系统有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L21/67;H01L31/18
代理公司: 11250 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 代理人: 郑越<国际申请>=<国际公布>=<进入国
地址: 215000 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 酸洗系统 链式 水洗系统 抛光生产线 氢氟酸溶液 硅电池片 抛光系统 抛光 储酸槽 种晶 晶硅太阳能电池 太阳能电池制备 环境污染问题 出料系统 烘干系统 上料系统 酸洗过程 有效解决 制备过程 封闭箱 清洗液 连通 废水 封闭 排放 源头
【权利要求书】:

1.一种晶硅电池片链式碱抛光生产线,其特征在于,包括:

封闭箱(1),所述封闭箱(1)内依次设有相互连通的上料系统(2)、第一酸洗系统(3)、第一水洗系统(4)、第一抛光系统(5)、第二抛光系统(6)、第二水洗系统(7)、第二酸洗系统(8)、第三水洗系统(9)、烘干系统(10)和出料系统(11);

所述第一酸洗系统(3)和所述第二酸洗系统(8)均包括储酸槽(12),所述储酸槽(12)内装有氢氟酸溶液。

2.根据权利要求1所述的晶硅电池片链式碱抛光生产线,其特征在于,所述第一酸洗系统(3)和所述第二酸洗系统(8)中部均设有酸洗浸泡槽(13),所述酸洗浸泡槽(13)上设有酸洗输送辊(14),所述酸洗浸泡槽(13)沿晶硅电池片输送方向的两端分别设有酸溢流槽(15),所述酸溢流槽(15)和所述酸洗浸泡槽(13)均与所述储酸槽(12)连接。

3.根据权利要求1或2所述的晶硅电池片链式碱抛光生产线,其特征在于,所述第一水洗系统(4)、所述第二水洗系统(7)和所述第三水洗系统(9)中部均设有水洗浸泡槽(19),所述水洗浸泡槽(19)上设有水洗输送辊(20),所述水洗输送辊(20)上设有压水辊(21),所述压水辊(21)上方沿输送方向依次设有多组喷淋装置,所述水洗浸泡槽(19)与储水槽(32)连接,所述储水槽(32)内装有纯水。

4.根据权利要求1-3任一项所述的晶硅电池片链式碱抛光生产线,其特征在于,所述上料系统(2)中部设有上料支架(33),所述上料支架(33)上设有上料输送辊(34),所述上料输送辊(34)上沿输送方向设有至少一排的上料规正轮(35)。

5.根据权利要求1-4任一项所述的晶硅电池片链式碱抛光生产线,其特征在于,所述第一抛光系统(5)和第二抛光系统(6)中部均设有抛光浸泡槽(36),所述抛光浸泡槽(36)上设有抛光输送辊(37),所述抛光浸泡槽(36)沿晶硅电池片输送方向的两端分别设有抛光液溢流槽(38),所述抛光液溢流槽(38)下方设有回液管(39),所述回液管(39)另一端连接有储液系统(40),所述抛光液溢流槽(38)远离所述抛光输送辊(37)下侧设有出液支管(41),所述出液支管(41)进液端设有出液盒(43),所述出液盒(43)与储液系统(40)连接。

6.根据权利要求5所述的晶硅电池片链式碱抛光生产线,其特征在于,所述储液系统(40)包括沿晶硅电池片输送方向依次设置的第一储液槽(46)、第二储液槽(47)和第三储液槽(48),所述第一储液槽(46)、所述第二储液槽(47)和所述第三储液槽(48)内分别设置有加热器(49),所述第二储液槽(47)内设有温度传感器(50),所述第一储液槽(46)、所述第二储液槽(47)和所述第三储液槽(48)内均装有氢氧化钾溶液。

7.根据权利要求1-6任一项所述的晶硅电池片链式碱抛光生产线,其特征在于,所述烘干系统(10)中部设有烘干支架(51),所述烘干支架(51)上设有烘干输送辊(52),所述烘干输送辊(52)上下两侧对称位置设有一对热风刀(53)。

8.根据权利要求1-7任一项所述的晶硅电池片链式碱抛光生产线,其特征在于,所述出料系统(11)中部设有出料支架(56),所述出料支架(56)上设有出料输送辊(57),所述出料输送辊(57)上沿输送方向设有至少一排的出料规正轮(58),所述出料支架(56)末端设有出料槽(59)。

9.一种晶硅电池片链式碱抛光方法,其特征在于,包括以下步骤:

(a)将扩散后的晶硅电池片正面喷水形成水膜保护层;

(b)将晶硅电池片四周以及背面与氢氟酸溶液接触去除晶硅四周以及背面的氧化层;

(c)将晶硅电池片四周以及背面用水浸泡,正面用水淋洗;

(d)将经步骤(c)处理后的晶硅电池片的四周及背面与氢氧化钾溶液接触进行腐蚀抛光后;

(e)重复步骤(c);

(f)将经步骤(e)处理后的晶硅电池片用氢氟酸进行清洗,去磷硅玻璃;

(g)重复步骤(c);

(h)将经步骤(g)处理后的晶硅电池片烘干后得到碱抛光过的晶硅电池片。

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