[发明专利]一种顶发射器件及其制备方法与全彩显示屏

说明书

本发明公开了一种顶发射器件结构及其制备方法与全彩显示屏，所述顶发射器件包括从下至上依次排列的阳极、腔长调节层、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极或阴极、腔长调节层、电子传输层、发光层、空穴传输层、阳极。所述腔长调节层为PEDOT:PSS、NiOx、IGZO或氧化石墨烯。所述腔长调节层通过旋涂法或印刷法制备。由于腔长调节层良好的导电率和透光率，因此当光从阴极发射经过腔长调节层时，光损失较少，同时几乎不影响器载流子注入，制备的顶发射器件的外量子效率接近底发射器件的，同时解决了蓝光顶发射器件颜色偏白的问题。这种低成本的材料加工方式，在得到较高电学性能的同时，还能提高发光色纯度，提升显示色域，获得较好显示效果。

技术领域

本发明属于半导体显示的技术领域，具体涉及一种顶发射器件及其制备方法与全彩显示屏。

背景技术

随着新一代显示材料的发展，OLED/QLED作为高性能显示屏已经进入人们的视野。目前OLED/QLED/Pe-LED大多数是底发射器件结构，由于底层TFT和走线占用大部分面积，使得底发射器件的出光面积很小，这不利于高分辨率显示屏的发展。因此，基于顶发射器件结构的OLED/QLED/Pe-LED成了我们的更好选择。然而，顶发射器件由于微腔效应，会使发光颜色发生变化，如蓝光偏白等，且对不同光色的影响作用不同。因此，对于顶发射器件，我们需要调节器件的腔长；目前使用比较广泛的调节腔长的材料是氧化铟锡(ITO)，这是由于ITO材料具有良好的导电率和透光率，并且能与金属形成欧姆接触，但这种材料成本较高，且对于高分辨率像素结构的器件，溅射比较困难。因此需要发展可溶液加工的、具有良好导电率及透光率的腔长调节材料，结合喷墨印刷等工艺，可制备具有高分辨率显示屏。

发明内容

针对以上现有技术存在的缺点和不足之处，本发明的目的是提供一种顶发射器件及其制备方法与全彩显示屏。

本发明的目的至少通过以下技术方案之一实现。

一种顶发射器件，包括从下至上依次排列的阳极、腔长调节层、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极或阴极、腔长调节层、电子传输层、发光层、空穴传输层、阳极；所述腔长调节层的材料为聚3，4-乙烯二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT:PSS)、氧化镍(NiOx)、氧化铟镓锌(IGZO)或氧化石墨烯。

进一步的，所述腔长调节层的厚度为1nm-160nm，优选为20-100nm。

进一步的，所述腔长调节层通过旋涂法或喷墨印刷法制备得到。

根据本发明的一些优选实施例，对于所述阳极或阴极没有特别的限定，选择本领域常用的电极材料制备即可。在一些具体的实施例中，所述反射阴极为ITO/Ag/ITO。

根据本发明的一些优选实施例，对于所述电子传输层没有特别的限定，选择本领域常用的电子传输层材料制备即可。在一些具体的实施例中，所述电子传输层为氧化锌纳米颗粒；特别地，对于蓝光顶发射器件，所述电子传输层为掺杂聚乙烯亚胺或聚乙氧基乙烯亚胺或乙醇胺的氧化锌纳米颗粒，其中，聚乙烯亚胺或聚乙氧基乙烯亚胺或乙醇胺的掺杂质量百分比为0.1%-0.6%，优选质量百分比为0.4%；对于红光和绿光的顶发射器件，其电子传输层为氧化锌纳米颗粒；对于电子传输层，其退火温度和时间优选为100-150℃，10-20分钟，制备方法为旋涂法或喷墨印刷法。

根据本发明的一些优选实施例，对于所述发光层没有特别的限定，选择本领域(量子点发光二极管、钙钛矿发光二极管、有机发光二极管)常用的发光层材料制备即可。在一些具体的实施例中，所述发光层中，蓝光材料为聚（烷氧基苯基取代芴-S,S-二氧-二苯并噻吩）、2-甲基-9,10-二（2-萘基）蒽:对-双（对-N,N-二苯基氨基苯乙烯基）苯及蓝光量子点。