[发明专利]一种圆偏振发光物质及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种圆偏振发光物质，其特征在于，所述圆偏振发光物质包括主体和客体；

所述主体包括手性纳米结构核和二氧化硅壳层，所述二氧化硅壳层包覆在所述手性纳米结构核表面；

所述客体为荧光物质；

所述荧光物质吸附在所述二氧化硅壳层上。

2.根据权利要求1所述的圆偏振发光物质，其特征在于，所述手性纳米结构核为具有圆二色性的结构；

优选地，所述手性纳米结构核为具有手性形状的贵金属纳米颗粒或由非手性贵金属纳米颗粒组装形成的空间手性结构，进一步优选为具有手性形状的贵金属纳米颗粒。

3.根据权利要求1或2所述的圆偏振发光物质，其特征在于，所述二氧化硅壳层为表面具有电荷的介孔结构；

优选地，所述二氧化硅壳层的厚度为10-100nm；

优选地，所述二氧化硅壳层的表面电荷zeta电势为-30～30mV；

优选地，所述二氧化硅壳层的介孔孔径为1-20nm。

4.根据权利要求1-3任一项所述的圆偏振发光物质，其特征在于，所述荧光物质为非圆偏振发光的荧光物质；

优选地，所述荧光物质选自二氢卟吩、四苯基乙烯或六苯基硅中的任意一种或至少两种的组合，优选为二氢卟吩。

5.一种圆偏振发光体系，其特征在于，所述体系包括如权利要求1-4任一项所述的圆偏振发光物质和溶剂；

优选地，所述圆偏振发光物质在所述体系中的浓度为1-200μmol/L；

优选地，所述溶剂为水、甲醇、乙醇、丙醇、二氯甲烷、氯仿、四氯化碳或正己烷中的任意一种或至少两种的组合；

优选地，所述溶剂为水和/或乙醇。

6.一种根据权利要求1-4任一项所述圆偏振发光物质的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

(1)对手性纳米结构核进行二氧化硅壳层包覆，得到主体；

(2)将步骤(1)得到的主体与荧光物质的溶液混合，干燥，得到所述圆偏振发光物质。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述手性纳米结构核的制备步骤为：将含有表面活性剂的贵金属纳米棒分散于水溶液中，在表面修饰上含巯基的手性分子后，与可溶性贵金属盐和还原剂混合生长，离心，去除上清液，得到所述手性纳米结构核；

优选地，步骤(1)所述对手性纳米结构核进行二氧化硅壳层包覆的方法为：将手性纳米结构核重新分散在水中，加入表面活性剂，并调节pH至8-11，加入硅源，搅拌，离心，去除上清液，得到所述主体；

优选地，步骤(2)所述混合的方法为涡旋、震荡或超声中的任意一种或至少两种的组合。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述表面活性剂为十六烷基三甲基溴化铵；

优选地，所述还原剂为抗坏血酸；

优选地，所述硅源为正硅酸乙酯。

9.根据权利要求6-8任一项所述的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

(1)将含有十六烷基三甲基溴化铵的贵金属纳米棒分散在水中，之后加入含巯基的手性分子，孵化处理，再加入可溶性贵金属盐和抗坏血酸，混合生长完成后，离心，去除上清液，得到所述手性纳米结构核，将得到的手性纳米结构核重新分散在水中，再加入十六烷基三甲基溴化铵，调节反应pH至11，加入正硅酸乙酯，搅拌，离心，去除上清液，得到所述主体；其中，在水溶液中，贵金属纳米棒的浓度为0.02-0.5mmol/L，十六烷基三甲基溴化铵的浓度为5-20mmol/L，含巯基的手性分子的浓度为20-200μmol/L，可溶性贵金属盐的浓度为0.025-0.4mmol/L，抗坏血酸与可溶性贵金属盐的浓度之比为1:(1.5-5)，孵化处理的温度为25-60℃，孵化处理的时间为0.5-24h；

(2)将步骤(1)得到的主体与荧光物质的溶液混合，干燥，得到所述圆偏振发光物质。

10.根据权利要求1-4任一项所述的圆偏振发光物质在手性识别、手性催化、圆偏振发光器件、手性显示、3D显示以及在作为光热治疗或光动力治疗的材料中的应用。