[发明专利]互补金属氧化物图像传感器及终端

说明书

本申请实施例公开了一种互补金属氧化物图像传感器及终端，CIS包括像素单元、滤光单元以及读出电路，像素单元包括第一PD结构和第二PD结构；其中，第一PD结构接近滤光单元的第一尺寸，大于第一PD结构接近读出电路的第二尺寸；第二PD结构接近滤光单元的第三尺寸，小于第二PD结构接近读出电路的第四尺寸；相应地，第一PD结构的N型区域设置于第一尺寸对应的第一区域；第二PD结构的N型区域设置于第四尺寸对应的第二区域。

技术领域

本申请实施例涉及图像处理器件，尤其涉及一种互补金属氧化物图像传感器及终端。

背景技术

互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)常常被用作数码影像器材的感光元件。其中，互补金属氧化物图像传感器(CMOS ImageSensor，CIS)因其制造工艺与信号处理芯片等制造工艺相兼容，易于集成片上系统，同时功耗相较于电荷耦合器件类传感器有较大优势，因此已在图像传感器应用领域占有优势地位。

随着CIS工艺的不断进步，像素尺寸也越来越小，然而，随着像素尺寸的不断缩减，单个像素单元面积也将逐步缩小，相应地，会造成像素单元的满阱容量的降低，进而造成成像质量的下降和可探测光强范围的减小。

发明内容

本申请实施例提供了一种互补金属氧化物图像传感器及终端，在像素单元尺寸减小的时，解决满阱容量随之降低的问题，从而有效提升成像质量，增加可探测光强范围。

本申请实施例的技术方案是这样实现的：

本申请实施例提供了一种CIS，所述CIS包括像素单元、滤光单元以及读出电路，所述像素单元包括第一PD结构和第二PD结构；其中，

所述第一PD结构接近所述滤光单元的第一尺寸，大于所述第一PD结构接近所述读出电路的第二尺寸；

所述第二PD结构接近所述滤光单元的第三尺寸，小于所述第二PD结构接近所述读出电路的第四尺寸；

相应地，

所述第一PD结构的N型区域设置于所述第一尺寸对应的第一区域；所述第二PD结构的N型区域设置于所述第四尺寸对应的第二区域。

在上述方案中，所述像素单元通过所述第一PD结构对绿光进行吸收；

所述像素单元通过所述第二PD结构对红光和蓝光进行吸收。

在上述方案中，所述像素单元通过所述第一PD结构对黄光进行吸收；

所述像素单元通过所述第二PD结构对红光和蓝光进行吸收。

在上述方案中，所述CIS还包括：透镜，其中，所述透镜与所述滤光单元连接。

在上述方案中，所述滤光单元设置于所述像素单元之上，所述像素单元与所述读出电路连接。

在上述方案中，所述滤光单元包括：与所述第一PD结构对应的绿色滤光片，与所述第二PD结构对应的红色滤光片和蓝色滤光片。

在上述方案中，所述滤光单元包括：与所述第一PD结构对应的黄色滤光片，与所述第二PD结构对应的红色滤光片和蓝色滤光片。

在上述方案中，所述绿色滤光片、所述红色滤光片以及所述蓝色滤光片大小相同；或者，

所述黄色滤光片、所述红色滤光片以及所述蓝色滤光片大小相同。

在上述方案中，所述CIS还包括：传输门，其中，所述传输门设置在所述N型区域的一侧。

在上述方案中，第一PD结构和第二PD结构的形状包括长方体、圆柱体或者平行四边体中的一种。