[发明专利]一种基于并二硫嗪的空穴传输材料及其制备方法及有机电致发光器件

说明书

本申请公开了一种基于并二硫嗪的空穴传输材料及其制备方法及有机电致发光器件，所述空穴传输材料的分子结构式如下所示：其中，R₁和R₂分别为给电子基团。本申请提供了一种具有匹配能级和高迁移率的空穴传输材料。

技术领域

本申请涉及有机光电材料领域，尤其涉及一种基于并二硫嗪的空穴传输材料及其制备方法及有机电致发光器件。

背景技术

有机电致发光二极管(organic light-emitting diode，OLED)以其主动发光不需要背光源、发光效率高、可视角度大、响应速度快、温度适应范围大、生产加工工艺相对简单、驱动电压低，能耗小，更轻更薄，柔性显示等优点以及巨大的应用前景，吸引了众多研究者的关注。

OLED器件的材料按照功能分，可分为空穴注入材料、空穴传输材料、空穴阻挡材料、发光主体材料、发光客体材料、电子注入材料、电子传输材料、电子阻挡材料、金属阴极和光耦合输出材料。对于目前使用的顶发射OLED器件中，空穴传输材料作为最厚的一层(量产材料消耗量最大)，其能级以及空穴迁移率一直存在矛盾的关系，因此，急需开发一种具有匹配能级和高迁移率的空穴传输材料。

发明内容

本申请实施例提供一种基于并二硫嗪的空穴传输材料及其制备方法及有机电致发光器件，提供了一种具有匹配能级和高迁移率的空穴传输材料。

本申请实施例提供了一种基于并二硫嗪的空穴传输材料，其分子结构式如下所示：

其中，R₁和R₂分别为给电子基团。

可选的，R₁和R₂独立的表示为咔唑基及其衍生物、二苯胺基及其衍生物、吩噁嗪基及其衍生物、吖啶基及其衍生物或者具有一个或多个选自N、O及Si的杂原子的五元或六元杂环芳香基。

可选的，R₁和R₂独立的表示为取代或未取代的二烷基氨基、取代或未取代的烷基氨基、取代或未取代的氨基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的酰胺基、取代或未取代的酰氧基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的羧基甲基、取代或未取代的苯基或者羟基；其中取代基为烷基或卤素。

可选的，R₁和R₂独立的表示为下列结构式中的任意一种：

可选的，R₁和R₂相同。

可选的，其分子结构式如下所示：

本申请实施例还提供了一种上述的基于并二硫嗪的空穴传输材料的制备方法，包括以下步骤：

在含碱性醇盐的有机溶剂中，在钯类催化剂和三叔丁基膦四氟硼酸盐的催化作用下，含并二硫嗪的化合物与R₁和R₂的氢化物反应制得基于并二硫嗪的空穴传输材料；其中，所述含并二硫嗪的化合物的分子结构式如下所示：

式中，X为氯、溴、碘或砹。

可选的，所述在含碱性醇盐的有机溶剂中，在钯类催化剂和三叔丁基膦四氟硼酸盐的催化作用下，含并二硫嗪的化合物与R₁和R₂的氢化物反应制得基于并二硫嗪的空穴传输材料，包括以下步骤：

在含碱性醇盐的有机溶剂中，在钯类催化剂和三叔丁基膦四氟硼酸盐的催化作用下，含并二硫嗪的化合物与R₁的氢化物反应制得中间产物；