[发明专利]蚀刻方法和蚀刻装置

说明书

本发明提供蚀刻方法和蚀刻装置，能够对形成于微细凹部的内表面的SiN或Si均匀地进行蚀刻。蚀刻方法包括以下工序：将具有凹部且在凹部的内表面存在由SiN或Si构成的蚀刻对象部的基板设置在处理容器内；在处理容器内对基板进行含氧等离子体处理，优先地使所述凹部的顶部的蚀刻对象部的表面改性；接着，对蚀刻对象部进行各向同性的干蚀刻。

技术领域

本公开涉及一种蚀刻方法和蚀刻装置。

背景技术

最近，在半导体器件的制造过程中进行精细蚀刻。例如，寻求一种对高深宽比的槽、孔的内表面的SiN、Si进行各向同性的蚀刻的技术。

作为对SiN进行蚀刻的技术，已知如专利文献1所记载的那样的如下技术：使如NF₃气体这样的含氟气体等离子体化，利用氟自由基和氟离子对SiN进行蚀刻。另外，在专利文献1中记载有能够通过使含氟气体包含O₂气体这样的氧源来在抑制SiO₂的蚀刻的同时对SiN进行蚀刻。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特表2014-508424号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供一种能够对形成于微细凹部的内表面的SiN或Si均匀地进行蚀刻的蚀刻方法和蚀刻装置。

用于解决问题的方案

本公开的一个方式所涉及的蚀刻方法包括以下工序：将具有凹部且在凹部的内表面存在由SiN或Si构成的蚀刻对象部的基板设置在处理容器内；在处理容器内对基板进行含氧等离子体处理，优先地使所述凹部的顶部的所述蚀刻对象部的表面改性；接着，对所述蚀刻对象部进行各向同性的干蚀刻。

发明的效果

根据本公开，能够对形成于凹部的内表面的SiN或Si均匀地进行蚀刻。

附图说明

图1是表示具体的实施方式所涉及的蚀刻方法的流程图。

图2是表示要进行蚀刻的基板的构造的一例的截面图。

图3是表示对图2的基板进行了蚀刻时的理想状态的截面图。

图4是表示要进行蚀刻的基板的构造的另一例的截面图。

图5是表示对图4的基板进行了蚀刻时的理想状态的截面图。

图6是表示对图2的构造的基板直接进行了各向同性蚀刻时的状态的截面图。

图7是示出进行SiN的各向同性干蚀刻时的F自由基的浓度分的图。

图8是示出一个实施方式中进行了含氧等离子体处理时的O自由基的浓度分布的图。

图9是用于说明在蚀刻对象部的表面形成有内含碳的损伤层时的含氧等离子体处理的作用的图。

图10是概要性地表示在本实施方式的蚀刻方法中使用的处理系统的一例的局部截面俯视图。

图11是概要性地表示搭载于图10的处理系统的、作为实施本实施方式的蚀刻方法的蚀刻装置发挥功能的工艺模块的一例的截面图。

图12是用于说明实验例2中的效果的图。

具体实施方式

下面，参照附图来说明实施方式。