[发明专利]具磁性屏蔽的装置及其制造方法

权利要求书

1.一种具磁性屏蔽的装置，其特征在于，包含：

一半导体晶粒；

一磁性屏蔽层，包含一混合物覆盖该半导体晶粒的一第一部分，该混合物具有：

多个第一铁磁性颗粒；

一绝缘涂覆物，封装各该第一铁磁性颗粒；以及

一基质，含有涂覆的所述多个第一铁磁性颗粒；

一非导电的环氧树脂层；以及

一屏蔽外壳，包含：

一下方的磁性屏蔽板，该半导体晶粒通过该非导电的环氧树脂层结合到该下方的磁性屏蔽板；

一磁性环氧树脂，覆盖该半导体晶粒的一第二部分与该下方的磁性屏蔽板，并具有多个第二铁磁性颗粒彼此电性相连；以及

一上方的磁性屏蔽板，覆盖于该磁性环氧树脂上，且该上方的磁性屏蔽板通过该磁性环氧树脂结合到该半导体晶粒与该下方的磁性屏蔽板。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述多个第一铁磁性颗粒是具有高磁导率的材料。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述多个第一铁磁性颗粒与该混合物的一体积比是选择以赋予该混合物至少一目标磁导率。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，该绝缘涂覆物的一厚度是选择以赋予该磁性屏蔽层至少一目标介电强度。

5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，该基质包含一高分子材料。

6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，该基质包含一顶部点胶填充剂。

7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，该基质包含一晶粒底部填充剂。

8.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，该基质包含一半导体封装模制化合物。

9.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，该绝缘涂覆物包含一高分子材料。

10.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，该绝缘涂覆物包含一介电氧化物。

11.一种具磁性屏蔽的装置，其特征在于，包含：

一半导体晶粒，具有多个晶粒端；

一封装输入/输出界面，具有多个封装输入端和多个封装输出端；

一非导电磁屏蔽元件，屏蔽该半导体晶粒的一第一部分；

一非导电的环氧树脂层；

一屏蔽外壳，包含：

一下方的磁性屏蔽板，该下方的磁性屏蔽板设置于该封装输入/输出界面的上方，该半导体晶粒通过该非导电的环氧树脂层结合到该下方的磁性屏蔽板，

一磁性环氧树脂屏蔽该半导体晶粒的一第二部分，且该磁性环氧树脂具导电性；以及

一上方的磁性屏蔽板，覆盖于该磁性环氧树脂上，且该上方的磁性屏蔽板通过该磁性环氧树脂结合到该半导体晶粒与该下方的磁性屏蔽板；以及

多个电性接点，将各该晶粒端电性耦接至对应所述多个封装输入端，各该电性接点延伸通过该非导电磁屏蔽元件，并与该非导电磁屏蔽元件物理性接触。

12.根据权利要求11所述的装置，其特征在于，该非导电磁屏蔽元件包含一混合物，该混合物包含：

多个铁磁性颗粒；

一绝缘涂覆物，封装各该铁磁性颗粒；以及

一基质，含有涂覆的所述多个铁磁性颗粒。

13.根据权利要求12所述的装置，其特征在于，该非导电磁屏蔽元件具有所述多个铁磁性颗粒与该混合物的一体积比，以赋予该非导电磁屏蔽元件一高磁导率。

14.根据权利要求12所述的装置，其特征在于，该绝缘涂覆物的一厚度赋予该非导电磁屏蔽元件选定的一介电强度。

15.根据权利要求12所述的装置，其特征在于，该绝缘涂覆物是一陶瓷材料。