[发明专利]摄像面板有效
| 申请号: | 201910691352.9 | 申请日: | 2019-07-29 |
| 公开(公告)号: | CN110783353B | 公开(公告)日: | 2023-08-08 |
| 发明(设计)人: | 泷田力也;中野文树;中泽淳 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 陈海云;叶乙梅 |
| 地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 摄像 面板 | ||
摄像面板中,在多个像素的每一个上具备光电转换元件的有源矩阵基板中,在各像素包括:设置在光电转换元件的一侧的表面的第一电极;设置在光电转换元件和所述第一电极的上层的第一平坦化膜;以及设置在所述第一平坦化膜的下层的偏压导电部。偏压导电部与第一电极连接,并向第一电极施加偏压电压。第一平坦化膜在与所述像素区域重叠的区域中未形成开口。
技术领域
以下公开的发明涉及一种摄像面板。
背景技术
以往,提出了用于在每个像素上具备设置有开关元件和光电转换元件的有源矩阵基板中,抑制光电转换元件的漏电流的技术。特开2011-114310号公报公开了一种光电转换装置,其设置有化合物层,所述化合物层保护光电转换层的上表面中从上部电极突出的部分的。光电转换层是在形成覆盖非晶硅层上的上部电极的外侧部分的化合物层之后,通过蚀刻非晶硅层并进行图案化来形成。通过设置化合物层,可以降低蚀刻后的灰化处理导致的光电转换层的损害,可以抑制光电二极管的漏电流。
然而,在X射线摄像装置中,存在如下情况:在光电二极管的上层所设置的平坦化膜上配置提供偏压电压的偏压配线,且用于连接偏压配线和光电二极管的上部电极的接触孔被形成在平坦化膜上。在这种情况下,当水分渗透到平坦化膜时,水分容易经由设置在平坦化膜上的接触孔而进入光电二极管。结果,光电二极管的漏电流变得容易流动,且漏电流增大。
发明内容
为了解决上述问题,以下公开的摄像面板,包括有源矩阵基板,所述有源矩阵基板具有包括多个像素的像素区域,所述多个像素的每一个包括光电转换元件,所述有源矩阵基板在所述多个像素的每一个中包括:第一电极,设置在所述光电转换元件的一侧的表面;第一平坦化膜,设置在所述光电转换元件和所述第一电极的上层;偏压导电部,与所述第一电极连接,且向所述第一电极施加偏压电压,所述偏压导电部与所述第一平坦化膜相比靠下层设置,所述第一平坦化膜在俯视时与所述像素区域重叠的区域中未形成开口。
根据上述构成,可以抑制水分侵入摄像面板。
附图说明
图1是表示第一实施方式中的X射线摄像装置的示意图。
图2是表示图1所示的有源矩阵基板的概略构成的示意图。
图3是将设置有图2所示的有源矩阵基板的像素的像素部的一部分放大的俯视图。
图4A是图3的像素部中的A-A线的剖视图。
图4B是图3的像素部中的B-B线的剖视图。
图5是第二实施方式中的像素部的剖视图。
图6是第三实施方式中的像素部的剖视图。
图7是第四实施方式中的像素部的剖视图。
图8A是表示形成图7所示的有机绝缘膜107a的工序的剖视图。
图8B是表示形成图7所示的有机绝缘膜107a的工序的剖视图。
图8C是表示形成图7所示的有机绝缘膜107a的工序的剖视图。
图9是第五实施方式中的像素部的剖视图。
具体实施方式
下面,参照附图来说明本发明的具体的实施方式。对图中相同或相当的部分标注相同的附图标记,不重复其说明。
〔第一实施方式〕
(构成)
图1是表示本实施方式中应用于摄像面板的X射线摄像装置的示意图。X射线摄像装置100包括具备有源矩阵基板1a和闪烁体1b的摄像面板1、和控制部2。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





