[发明专利]微型发光二极管显示面板及其制作方法有效
| 申请号: | 201910690576.8 | 申请日: | 2019-07-29 |
| 公开(公告)号: | CN110838497B | 公开(公告)日: | 2022-12-09 |
| 发明(设计)人: | 陈柏辅;吴逸蔚;陆一民;张炜炽 | 申请(专利权)人: | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/15;G09F9/33 |
| 代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 徐丽 |
| 地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 微型 发光二极管 显示 面板 及其 制作方法 | ||
本发明提供了一种微型发光二极管显示面板及其制作方法,微型发光二极管显示面板包括:薄膜晶体管阵列基板;多个微型发光二极管,间隔设置于所述薄膜晶体管阵列基板上且位于所述显示区域;公共电极,位于所述薄膜晶体管阵列基板上,覆盖所有微型发光二极管且与微型发光二极管电性连接;金属层,位于所述公共电极远离所述微型发光二极管的一侧且电性连接所述公共电极;以及黑色光阻层,位于所述金属层远离所述公共电极的一侧,所述黑色光阻层中开设有贯穿所述黑色光阻层和所述金属层的多个孔洞,每个孔洞正对一个微型发光二极管以使微型发光二极管发出的光能够穿过射出,所述公共电极、所述金属层及所述黑色光阻层设置于显示区域并延伸至边界区域。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种微型发光二极管显示面板及其制作方法。
背景技术
目前,微型发光二极管(micro light emitting diode,简称micro-发光二极管或微型发光二极管)显示面板吸引了公众的关注,微型发光二极管显示面板可兼顾较窄的边框与良好的显示质量。如图1所示,现有的微型发光二极管显示面板100的包括显示区域aa和边界区域na,微型发光二极管显示面板100包括薄膜晶体管阵列基板101、设置于薄膜晶体管阵列基板101上且位于显示区域aa的多个微型发光二极管102、设置于薄膜晶体管阵列基板101上且与微型发光二极管102电性连接的公共电极103及覆盖公共电极103的平坦化层110,在边界区域na制作有通过连接端子108与公共电极103电性连接的导电的走线107,在走线107靠近显示区域aa的一侧设置有驱动微型发光二极管102发光的驱动器109,公共电极103设置于显示区域aa并延伸至边界区域na以与走线107电性连接,为减少公共电极103延伸至边界区域na的面积以降低公共电极103的电阻值,走线107设置具有较大的线宽(图1中所示走线107为沿垂直于其延伸方向的截面图),边界区域na的宽度也随之增加,进而导致微型发光二极管显示面板100的边框较宽,屏占比较小。
发明内容
本发明第一方面提供一种微型发光二极管显示面板,所述微型发光二极管显示面板包括显示区域和围绕所述显示区域的边界区域,包括:
薄膜晶体管阵列基板;
多个微型发光二极管,间隔设置于所述薄膜晶体管阵列基板上且位于所述显示区域;
公共电极,位于所述薄膜晶体管阵列基板上,覆盖所有微型发光二极管且与所述微型发光二极管电性连接;金属层,位于所述公共电极远离所述微型发光二极管的一侧且电性连接所述公共电极;以及
黑色光阻层,位于所述金属层远离所述公共电极的一侧,所述黑色光阻层中开设有贯穿所述黑色光阻层和所述金属层的多个孔洞,每个孔洞正对一个微型发光二极管以使微型发光二极管发出的光能够穿过射出,所述公共电极、所述金属层及所述黑色光阻层设置于所述显示区域并延伸至所述边界区域。
本发明第二方面提供一种微型发光二极管显示面板的制作方法,包括:
在薄膜晶体管阵列基板上设置多个微型发光二极管,之后在薄膜晶体管阵列基板上形成公共电极,所述公共电极直接电性连接每个微型发光二极管远离所述薄膜晶体管阵列基板的一侧;
在所述公共电极远离所述薄膜晶体管阵列基板的一侧形成金属层;以及
在所述金属层远离所述薄膜晶体管阵列的一侧形成黑色光阻层;
在所述黑色光阻层上开设多个孔洞,每个孔洞贯穿所述黑色光阻层和所述金属层且正对一个微型发光二极管。
本发明提供的微型发光二极管显示面板中公共电极通过金属层与走线电性连接,故而公共电极无需在边界区域延伸得过宽来与走线电性连接,有利于减少公共电极的电阻值,同时走线也可制作得较窄,因而有利于窄边框的实现;由于电流在金属层中的迁移率优于在公共电极中的迁移率,有利于提高电流分布的均匀性,从而提升显示画面的均匀度。本发明还提供了微型发光二极管显示面板的制作方法。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司,未经鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910690576.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





