[发明专利]一种晶圆的研磨控制方法及装置、研磨设备

说明书

本发明提供一种晶圆的研磨控制方法及装置、研磨设备，可以在设定的研磨参数下控制研磨机进行量产晶圆的研磨，当需要启动测试晶圆的监控时，在设定的研磨参数下控制研磨机进行测试晶圆的研磨，通过专用测量设备可以获得测试晶圆研磨后的第一整体厚度偏差，根据第一整体厚度偏差可以获得更新的研磨参数，以更新的研磨参数作为设定的研磨参数，控制研磨机进行量产晶圆的研磨，从而得到厚度更加均匀的晶圆，从而提高研磨后的晶圆的平整度。

技术领域

本发明涉及半导体器件及其制造领域，特别涉及一种晶圆的研磨控制方法及装置、研磨设备。

背景技术

晶圆是器件加工的基底，在晶圆正面进行器件加工工艺之后，会需要对该晶圆从背面进行减薄，以便进行其他的背面的工艺。

在一个典型的应用中，在完成器件加工工艺之后，利用晶圆级封装技术将不同的晶圆堆叠键合在一起，并从晶圆的背面实现减薄，减薄去除厚度达到晶圆厚度的90％以上，需要通过研磨机(Grinder)实现快速减薄，然而，受到目前研磨设备的工作模式和加工精度的限制，在研磨之后晶圆平整度的误差过大，无法实现平整度符合要求的表面。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种晶圆的研磨控制方法及装置、研磨设备，提高研磨后的晶圆的平整度。

为实现上述目的，本发明有如下技术方案：

本申请实施例提供了一种晶圆的研磨控制方法，所述方法包括：

S01，在设定的研磨参数下控制研磨机进行量产晶圆的研磨；

S02，当需要启动测试晶圆的监控时，在所述设定的研磨参数下控制所述研磨机进行测试晶圆的研磨；

S03，获得更新的研磨参数，并以所述更新的研磨参数作为设定的研磨参数，并返回S01，所述更新的研磨参数通过所述测试晶圆研磨后的第一整体厚度偏差确定，所述测试晶圆的第一整体厚度偏差通过专用测量设备获得。

可选的，需要启动测试晶圆的监控的判断方法包括：

判断所述量产晶圆的数量是否到达量产周期，若是，则确定需要启动测试晶圆的监控。

可选的，所述研磨机还设置有厚度测量装置，在步骤S01中，还包括：利用所述厚度测量装置获得研磨后的量产晶圆的第二整体厚度偏差；则，

需要启动测试晶圆的监控的判断方法包括：

根据所述量产晶圆的第二整体厚度偏差，判断是否需要启动测试晶圆的监控。

可选的，所述根据所述量产晶圆的第二整体厚度偏差，判断是否需要启动测试晶圆的监控，包括：

通过所述量产晶圆的第二整体厚度偏差与预设厚度偏差的偏移量，判断是否需要启动测试晶圆的监控。

可选的，所述根据所述量产晶圆的第二整体厚度偏差，判断是否需要启动测试晶圆的监控，包括：

通过所述量产晶圆的第二整体厚度偏差是否在预设厚度偏差阈值范围内，判断是否需要启动测试晶圆的监控。

可选的，所述研磨机的承载台具有第一固定点以及第二可升降点、第三可升降点，研磨参数包括所述第二可升降点和所述第三可升降点的位移参数。

可选的，所述更新的研磨参数的确定方法包括：

根据预先获得的实验数据，通过所述测试晶圆的第一整体厚度偏差确定更新的研磨参数，所述实验数据包括通过所述专用测量设备获得的晶圆研磨后的第一整体厚度偏差与研磨参数的对应关系。

本申请实施例还提供了一种晶圆的研磨控制装置，包括：

第一控制单元，用于在设定的研磨参数下控制研磨机进行量产晶圆的研磨；