[发明专利]一种超快阻变存储器及其阻态控制方法在审
| 申请号： | 201910689807.3 | 申请日： | 2019-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN110416404A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 陈志伟;马超;殷月伟;李晓光 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/02;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张雪娇 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阻变存储器 基底 阻态 阻变介质层 过渡金属氧化物 过渡金属元素 亚纳秒量级 电阻状态 高温条件 硅基工艺 价态变化 实验分析 导电硅 底电极 电激励 介质层 可调控 氧空位 存储 兼容 施加 转换 发现 | ||
【权利要求书】：
1.一种超快阻变存储器，其特征在于，包括：
导电基底；
位于所述导电基底表面的阻变介质层，所述阻变介质层为过渡金属氧化物介质层；
位于所述阻变介质层背离所述导电基底一侧的顶电极。
2.根据权利要求1所述的超快阻变存储器，其特征在于，所述过渡金属氧化物介质层为氧化铪介质层、氧化钛介质层、氧化锌介质层、氧化镍介质层、氧化钽介质层、氧化钨介质层或钇铁石榴石介质层中一种或多种的叠层结构。
3.根据权利要求1所述的超快阻变存储器，其特征在于，所述导电基底为N型硅基底或P型硅基底。
4.根据权利要求1所述的超快阻变存储器，其特征在于，所述阻变介质层的厚度的取值范围为5-200nm。
5.根据权利要求1所述的超快阻变存储器，其特征在于，所述顶电极为铝电极或铜电极或金电极或银电极或铂电极。
6.一种超快阻变存储器的阻态控制方法，其特征在于，包括：
提供如权利要求1-5任一项所述的阻变存储器；
为所述阻变存储器设置多个不同大小的限制电流，以控制所述阻变存储器在多个阻态之间切换。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在进行超快操作时所述施加正向脉冲电压信号的时间宽度的取值范围为0.6ns-20μs。
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