[发明专利]湿法刻蚀方法

说明书

本发明提供一种湿法刻蚀方法，包括如下步骤：提供待处理基底，对待处理基底进行预热处理；使用湿法刻蚀溶液对预热处理后的待处理基底进行湿法刻蚀，湿法刻蚀溶液的温度大于待处理基底预热处理前的温度。本发明通过对待处理基底进行预热处理后再使用湿法刻蚀溶液对待处理基底进行湿法刻蚀，预热处理可以减小待处理基底与湿法刻蚀溶液之间的温差，甚至可以使得待处理基底的温度与湿法刻蚀溶液的温度相同，可以确保在湿法刻蚀过程中待处理基底表面的温度均匀分布，从而使得待处理基底表面不同区域具有相同的刻蚀速率；由于在湿法刻蚀之初所述待处理基底的温度已经与湿法刻蚀溶液的温度相近或相同，可以缩短湿法刻蚀的时间，提高湿法刻蚀的效率。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，特别是涉及一种湿法刻蚀方法。

背景技术

在现有的单片式湿法刻蚀工艺中，一般使用喷嘴将温度高于室温的湿法刻蚀液喷洒至晶圆的表面以对晶圆进行刻蚀，而在刻蚀之初所述晶圆的温度一般为室温；自所述湿法刻蚀液喷洒至所述晶圆的表面开始，所述晶圆的温度开始升高；但由于所述湿法刻蚀液采用喷嘴喷洒至所述晶圆的表面，所述喷嘴对应于所述晶圆的区域比较小，而晶圆在所述湿法刻蚀液的作用下被加热升温，又所述晶圆的温度与所述湿法刻蚀液的温度之间的温差较大，在湿法刻蚀过程中，所述晶圆表面的温度分布不均匀；而温度对于湿法刻蚀的刻蚀速率有着明显的影响，所述晶圆表面的温度不均匀，会导致湿法刻蚀工艺中所述晶圆表面不同区域的刻蚀速率的均匀性较差；特别是所述湿法刻蚀液的温度较高或湿法刻蚀时间较短时，尽管表面不同区域的刻蚀速率的不均匀性将会更加明显。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种湿法刻蚀方法用于解决现有技术中由于晶圆与湿法刻蚀液之间的温差较大而导致的湿法刻蚀过程中晶圆表面的温度分布不均匀，从而导致晶圆不同区域的刻蚀速率均匀性较差的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种湿法刻蚀方法，所述湿法刻蚀方法包括如下步骤：

提供待处理基底，对所述待处理基底进行预热处理；

使用湿法刻蚀溶液对预热处理后的所述待处理基底进行湿法刻蚀，所述湿法刻蚀溶液的温度大于所述待处理基底预热处理前的温度。

可选地，预热处理后所述待处理基底的温度与所述湿法刻蚀溶液的温度相同。

可选地，使用湿法刻蚀溶液喷嘴将所述湿法刻蚀溶液喷射至预热处理后的所述待处理基底的表面，以对预热处理后的所述待处理基底进行湿法刻蚀。

可选地，所述待处理基底旋转的同时使用所述湿法刻蚀溶液喷嘴将所述湿法刻蚀溶液喷射至预热处理后的所述待处理基底的表面。

可选地，所述湿法刻蚀溶液喷嘴将所述湿法刻蚀溶液喷射至预热处理后的所述待处理基底的表面的同时于所述待处理基底的中心至所述待处理基底的边缘之间做往返运动。

可选地，使用具有预设温度的去离子水对所述待处理基底进行预热处理。

可选地，使用去离子水喷嘴将具有预设温度的所述去离子水喷射至所述待处理基底的表面，以对所述待处理基底进行预热处理。

可选地，所述待处理基底旋转的同时使用所述去离子水喷嘴将具有预设温度的所述去离子水喷射至所述待处理基底的表面。

可选地，所述去离子水喷嘴将具有预设温度的所述去离子水喷射至所述待处理基底的表面的同时于所述待处理基底的中心至所述待处理基底的边缘之间做往返运动。