[发明专利]一种硅氧化合物及使用它的二次电池有效
| 申请号： | 201910688521.3 | 申请日： | 2019-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN112299429B | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 梁成都;官英杰;赵玉珍;温严;黄起森 | 申请（专利权）人： | 宁德时代新能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/18 | 分类号： | C01B33/18;H01M4/36;H01M4/485;H01M4/62;H01M10/0525;H01M4/02 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 赵剑峰 |
| 地址： | 352100 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 使用 二次 电池 | ||
1.一种硅氧化合物，所述硅氧化合物的化学式为SiOx，0x2，其同时含有硫元素和铝元素，且硫元素的含量为20ppm～300ppm；
硫元素与铝元素的重量比为1.5～13.0。
2.根据权利要求1所述的硅氧化合物，其特征在于，所述硫元素的含量为30ppm～250ppm。
3.根据权利要求1所述的硅氧化合物，其特征在于，所述铝元素的含量为5ppm～150ppm。
4.根据权利要求1所述的硅氧化合物，其特征在于，所述铝元素的含量为10ppm～100ppm。
5.根据权利要求1至4任一项所述的硅氧化合物，其特征在于，所述硫元素与所述铝元素的质量比为2.0～10.0。
6.根据权利要求1所述的硅氧化合物，其特征在于，所述硅氧化合物的X射线衍射分析图谱中，在衍射角2θ为26°～30°的位置具有衍射峰，且所述衍射峰的半峰宽为0.8°～3.2°；
在衍射角2θ为46°～50°的位置具有衍射峰，且所述衍射峰的半峰宽为1.0°～4.2°；
在衍射角2θ为54°～58°的位置具有衍射峰，且所述衍射峰的半峰宽为0.8°～4.5°。
7.根据权利要求1所述的硅氧化合物，其特征在于，所述硅氧化合物在20MPa压力下的粉体体积电阻率为10Ω·cm以下。
8.根据权利要求1所述的硅氧化合物，其特征在于，所述硅氧化合物在20MPa压力下的粉体体积电阻率为1Ω·cm以下。
9.根据权利要求1所述的硅氧化合物，其特征在于，所述硅氧化合物的平均粒径Dv50为2μm～15μm。
10.根据权利要求1所述的硅氧化合物，其特征在于，所述硅氧化合物的平均粒径Dv50为3μm～12μm。
11.根据权利要求1所述的硅氧化合物，其特征在于，所述硅氧化合物的比表面积为1m2/g～7m2/g。
12.根据权利要求1所述的硅氧化合物，其特征在于，所述硅氧化合物的比表面积为2m2/g～6m2/g。
13.根据权利要求1所述的硅氧化合物，其特征在于，所述硅氧化合物在5吨压力下测得的压实密度为1.2g/cm3～1.7g/cm3。
14.根据权利要求1所述的硅氧化合物，其特征在于，所述硅氧化合物在5吨压力下测得的压实密度为1.3g/cm3～1.6g/cm3。
15.一种二次电池，含有权利要求1～14任一项所述的硅氧化合物。
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