[发明专利]用于管芯的引线框架

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

硅管芯，其具有涂覆于一侧上的金属材料涂层；

引线框架，其包括：

面积小于所述硅管芯的面积的安装垫，所述硅管芯经由所述安装垫安装在所述引线框架上；和

填充有非导电模制化合物的经蚀刻区域，其在所述引线框架中沿着所述硅管芯的边缘与所述硅管芯的一端接触的一侧上；和

大量环氧树脂材料，其沿着所述金属材料涂层的长度分配于所述引线框架上以在所述硅管芯的一侧上形成角焊缝，所述角焊缝被配置成将所述硅管芯粘附到所述引线框架且防止所述金属材料涂层接触所述引线框架。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中与所述经蚀刻区域位于所述引线框架的同一端处的所述金属材料涂层的金属毛刺与所述经蚀刻区域内的所述非导电模制化合物接触以提供所述引线框架与所述硅管芯的电隔离，从而防止短路。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述经蚀刻区域的第一区填充有所述非导电模制化合物，且所述经蚀刻区域的第二区包括空隙。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述非导电模制化合物包括：

所述经蚀刻区域的第一区内的第一材料；和

所述经蚀刻区域的第二区内不同于所述第一材料的第二材料。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述经蚀刻区域的第一区和所述经蚀刻区域的第二区横跨所述引线框架的厚度。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述经蚀刻区域的第二区相对于所述经蚀刻区域的第一区偏移某一距离。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述引线框架的第二部分对应于所述经蚀刻区域的第二区且横跨所述经蚀刻区域的第二区的厚度。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述非导电模制化合物包括塑料材料。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括在所述引线框架中沿着所述硅管芯的第二边缘与所述硅管芯的第二端接触的第二侧上的填充有所述非导电模制化合物的第二经蚀刻区域，其中与所述第二经蚀刻区域位于所述引线框架的同一端处的所述金属材料涂层的金属毛刺接触所述第二经蚀刻区域内的所述非导电模制化合物以提供所述引线框架与所述硅管芯的电隔离，从而防止短路。

10.一种方法，其包括：

蚀刻引线框架内的区域，使得所述引线框架的安装垫的面积小于具有金属材料涂层的硅管芯的面积；

通过非导电模制化合物填充所述经蚀刻区域；

沿着所述金属材料涂层的长度将大量环氧树脂材料分配于所述引线框架上以在所述硅管芯的一侧上形成角焊缝，以将所述硅管芯粘附到所述引线框架且防止所述金属材料涂层接触所述引线框架；和

经由所述金属材料涂层和所述环氧树脂材料将所述硅管芯安装于所述引线框架的所述安装垫上，其中所述硅管芯的边缘与所述非导电模制化合物接触。

11.根据权利要求10所述的方法，其中与所述经蚀刻区域位于所述引线框架的同一端处的所述金属材料涂层的金属毛刺与所述经蚀刻区域内的所述非导电模制化合物接触以提供所述引线框架与所述硅管芯的电隔离，从而防止短路。

12.根据权利要求10所述的方法，其中所述经蚀刻区域的第一区填充有所述非导电模制化合物，且所述经蚀刻区域的第二区包括空隙。

13.根据权利要求10所述的方法，其中所述非导电模制化合物包括所述经蚀刻区域的第一区内的第一材料，且包括所述经蚀刻区域的第二区内不同于所述第一材料的第二材料。

14.根据权利要求10所述的方法，其中所述经蚀刻区域的第一区和所述经蚀刻区域的第二区横跨所述引线框架的厚度。