[发明专利]一种基于IGBT的线性功率放大器有效
| 申请号： | 201910687910.4 | 申请日： | 2019-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN110492851B | 公开（公告）日： | 2022-11-15 |
| 发明（设计）人： | 陈柏超;陈耀军;高伟 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H03F1/02 | 分类号： | H03F1/02;H03F3/21 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 彭艳君 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 igbt 线性 功率放大器 | ||
1.一种基于IGBT的线性功率放大器，其特征是，包括：大功率低压差P-IGBT，与大功率低压差P-IGBT特性参数对称的异型大功率低压差N-IGBT，大功率低压差N-IGBT作为上管，大功率低压差P-IGBT作为下管，上管大功率低压差N-IGBT和下管大功率低压差P-IGBT的栅极和发射极相互连接，构成双电源互补对称功率放大电路；输入信号从放大电路的栅极输入，发射极输出。
2.如权利要求1所述的基于IGBT的线性功率放大器，其特征是，大功率低压差P-IGBT包括第一PNP型三极管、第一NPN型三极管、第二NPN型三极管和第一标准IGBT晶体管，还包括串联接至第一PNP型三极管基极的第一电阻，串联连接在第一PNP型三极管集电极和第一NPN型三极管基极之间的第二电阻，串联接在第一NPN型三极管发射极与第二NPN型三极管发射极之间的第四电阻，串联连接在第一NPN型三极管集电极与第二NPN型三极管集电极之间的第三电阻、第五电阻；第一PNP型三极管发射极接至第一标准IGBT晶体管的集电极；第一NPN型三极管发射极连接第一标准IGBT晶体管的发射极；第二NPN型三极管集电极接至第一标准IGBT晶体管栅极；
大功率低压差N-IGBT管包括第三NPN型三极管、第四NPN型三极管、第五NPN型三极管和第二标准IGBT晶体管；还包括串联接至第三NPN型三极管基极的第六电阻，串联连接在第三NPN型三极管发射极和第四NPN型三极管基极之间的第七电阻，串联接在第四NPN型三极管发射极与第五NPN型三极管发射极之间的第十电阻，串联连接在第四NPN型三极管集电极与第五NPN型三极管集电极之间的第八电阻、第九电阻；第三NPN型三极管集电极接至第二标准IGBT晶体管的集电极；第四NPN型三极管发射极接至第二标准IGBT晶体管的发射极；第五NPN型三极管集电极接至第二标准IGBT晶体管的栅极。
3.如权利要求1所述的基于IGBT的线性功率放大器，其特征是，第三电阻与第五电阻的连接点与第二直流电压源正极相连，第一NPN型三极管的发射极连接第二直流电压源负极；第八电阻与第九电阻的连接点连接第一直流电压源正极，第四NPN型三极管的发射极连接第一直流电压源负极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉大学，未经武汉大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910687910.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
