[发明专利]适用于峰值电流模式DC-DC变换器的自适应瞬态响应优化电路

权利要求书

1.适用于峰值电流模式DC-DC变换器的自适应瞬态响应优化电路，所述峰值电流模DC-DC变换器包括PWM比较器，所述PWM比较器的正输入端连接所述峰值电流模DC-DC变换器的电感电流采样信号和斜坡补偿信号叠加后的信号，其负输入端连接反馈电压和基准电压经过误差放大后的信号，其输出端产生所述峰值电流模DC-DC变换器中功率管的栅极驱动电压，所述反馈电压为所述峰值电流模DC-DC变换器输出电压的分压信号；

其特征在于，所述自适应瞬态响应优化电路包括两个输入端和一个输出端，所述自适应瞬态响应优化电路的第一输入端连接所述反馈电压，其第二输入端连接所述基准电压，其输出端产生与所述反馈电压减去基准电压的值成比例的电流信号叠加到所述PWM比较器的正输入端，所述PWM比较器将其正输入端叠加获得的电流信号经过电阻转化为对应的电压信号后与其负输入端的信号进行比较；

所述自适应瞬态响应优化电路包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管以及偏置电流源，

第三PMOS管的栅极作为所述自适应瞬态响应优化电路的第一输入端，其源极连接第四PMOS管的源极和所述偏置电流源，其漏极连接第四NMOS管和第八NMOS管的栅极、以及第五NMOS管的栅极和漏极；

第四PMOS管的栅极作为所述自适应瞬态响应优化电路的第二输入端，其漏极连接第三NMOS管和第七NMOS管的栅极、以及第六NMOS管的栅极和漏极；

第二PMOS管的栅漏短接并连接第一PMOS管的栅极和第四NMOS管的漏极，其源极连接第一PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管和第八PMOS管的源极并连接电源电压；

第五PMOS管的栅漏短接并连接第六PMOS管的栅极和第七NMOS管的漏极；

第七PMOS管的栅漏短接并连接第八PMOS管的栅极和第十NMOS管的漏极；

第九NMOS管的栅漏短接并连接第十NMOS管的栅极、第六PMOS管和第八NMOS管的漏极，其源极连接第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管和第十NMOS管的源极并接地；

第二NMOS管的栅漏短接并连接第一NMOS管的栅极、第一PMOS管和第三NMOS管的漏极；

第一NMOS管的漏极连接第八PMOS管的漏极并作为所述自适应瞬态响应优化电路的输出端。