[发明专利]小面区域的检测方法和检测装置

权利要求书

1.一种小面区域的检测方法，对SiC单晶锭的小面区域进行检测，该SiC单晶锭具有第一面和与该第一面相反的一侧的第二面，并且c轴从该第一面至该第二面，其特征在于，

该小面区域的检测方法包含如下的步骤：

照射步骤，对该SiC单晶锭的该第一面照射来自光源的光；

荧光强度检测步骤，对通过照射至该第一面的该光而从该SiC单晶锭的该第一面产生的荧光进行检测，得到该荧光的强度分布；以及

判定步骤，在该第一面上，将通过该荧光强度检测步骤而检测的荧光的强度比较小的区域判定为小面区域，将该荧光的强度比较大的区域判定为非小面区域。

2.根据权利要求1所述的小面区域的检测方法，其特征在于，

该小面区域的检测方法还包含如下的磨削步骤：在实施该照射步骤之前，使用磨削磨具对该第一面进行磨削。

3.一种小面区域的检测装置，其对SiC单晶锭的小面区域进行检测，该SiC单晶锭具有第一面和与该第一面相反的一侧的第二面，并且c轴从该第一面至该第二面，其特征在于，

该小面区域的检测装置具有：

卡盘工作台，其在使该第一面朝向上方的状态下对该SiC单晶锭进行保持；

光源，其对该卡盘工作台所保持的该SiC单晶锭照射光；

荧光检测单元，其对通过从该光源照射至该第一面的光而从该第一面产生的荧光进行检测，得到该荧光的强度分布；以及

判定单元，其根据该荧光检测单元所检测到的该荧光的强度分布，对该SiC单晶锭的该第一面的小面区域的位置进行检测。

4.根据权利要求3所述的小面区域的检测装置，其特征在于，

该荧光检测单元具有拍摄单元，该拍摄单元对通过基于该光源的该光的照射而产生该荧光的该SiC单晶锭的该第一面进行拍摄。