[发明专利]一种直流-直流变换器

权利要求书

1.一种直流-直流变换器，其特征在于，包括：电流输出电路、防倒灌开关模块、电感、负载电容和开关控制电路；

所述电流输出电路的输出端逐一经所述防倒灌开关模块的第一端、所述电感和所述负载电容的第一端连接负载的第一端；所述防倒灌开关模块的第二端逐一经所述负载电容的第二端和所述负载的第二端接地；

所述电流输出电路，用于依据基准电压和所述负载上施加的电压，向所述负载提供负载电流；

所述开关控制电路，用于检测所述防倒灌开关模块第一端的电压；当所述防倒灌开关模块第一端的电压大于或等于零时，控制所述防倒灌开关模块关断。

2.根据权利要求1所述的直流-直流变换器，其特征在于，所述开关控制电路，包括：比较模块和控制模块；

所述比较模块的第一输入端连接所述防倒灌开关模块的第一端，所述比较模块的第二输入端接地，所述比较模块的输出端连接所述控制模块；所述控制模块的输出端连接所述防倒灌开关模块的控制端；

所述比较模块，用于比较所述防倒灌开关模块第一端的电压是否大于零；当所述防倒灌开关模块第一端的电压大于零时，输出第一比较信号至所述控制模块；

所述控制模块，用于在接收到所述第一比较信号时，输出第一控制信号至所述防倒灌开关模块的控制端，以控制所述防倒灌开关模块关断。

3.根据权利要求2所述的直流-直流变换器，其特征在于，所述比较模块，包括：电流镜、第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管；

所述电流镜为所述第一NMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极提供相等的电流；

所述第一NMOS管的栅极连接所述第一NMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极，所述第一NMOS管的源极接地；

所述第二NMOS管的源极连接所述防倒灌开关模块的第一端；

所述第三NMOS管的栅极连接所述第二NMOS管的漏极，所述第三NMOS管的源极接地，所述第三NMOS管的漏极连接供电电源和所述控制模块。

4.根据权利要求3所述的直流-直流变换器，其特征在于，所述比较模块，还包括：逻辑放大子模块；

所述逻辑放大子模块的两个输入端分别连接所述第三NMOS管的漏极和所述防倒灌开关模块的控制端；

所述逻辑放大子模块，用于将所述第三NMOS管的漏极输出的电压放大输出。

5.根据权利要求4所述的直流-直流变换器，其特征在于，所述逻辑放大子模块，包括：第一反相器和与门；

所述第三NMOS管的漏极经所述第一反相器连接所述与门的第一输入端；

所述与门的第二输入端连接所述防倒灌开关模块的控制端。

6.根据权利要求3至5任一项所述的直流-直流变换器，其特征在于，所述开关控制电路，还包括：使能模块；

所述使能模块，用于基于所述防倒灌开关模块的通断状态，使能所述比较模块。

7.根据权利要求6所述的直流-直流变换器，其特征在于，所述使能模块，包括：第一开关管和/或第二开关管；

所述第一开关管的第一端连接所述第二NMOS管的源极，所述第一开关管的第二端接地，所述第一开关管的控制端连接所述防倒灌开关模块的控制端；

所述第二开关管的第一端连接所述第三NMOS管的栅极，所述第二开关管的第二端接地，所述第二开关管的控制端连接所述防倒灌开关模块的控制端。

8.根据权利要求7所述直流-直流变换器，其特征在于，所述使能模块，还包括：第三开关管；

所述第三开关管的第一端和第二端分别连接所述防倒灌开关模块的第一端和所述第二NMOS管的源极，所述第三开关管的控制端连接所述防倒灌开关模块的控制端。

9.根据权利要求3至5任一项所述的直流-直流变换器，其特征在于，所述比较模块，还包括：电阻；

所述电阻连接在所述防倒灌开关模块的第一端和所述第二NMOS管的源极之间。

10.根据权利要求3至5任一项所述的直流-直流变换器，其特征在于，所述电流镜为共源共栅电流镜结构，包括：电流输入支路、第一镜像支路、第二镜像支路和第三镜像支路；

所述电流输入支路的输入端连接输入电流，将所述输入电流镜像至所述第一镜像支路、所述第二镜像支路和所述第三镜像支路；

所述第一镜像支路、所述第二镜像支路和所述第三镜像支路分别连接所述第一NMOS管的漏极、所述第二NMOS管的漏极和所述第三NMOS管的漏极。