[发明专利]半导体结构及半导体制造方法

说明书

本发明实施例是有关半导体结构及半导体制造方法。所述半导体结构包含：衬底；有源区域，其包含夹置于两个源极/漏极区之间的沟道区；绝缘区，其从俯视图围绕所述有源区域；及电介质层，其放置在所述绝缘区与所述源极/漏极区之间的界面上方且与所述界面接触。本发明实施例还公开一种制造半导体结构的方法。

技术领域

本发明实施例是有关半导体结构及半导体制造方法。

背景技术

浅沟槽隔离(STI)广泛用于半导体制造中以在衬底上提供有源区域的隔离。然而，STI易受噪声及泄漏问题的影响。因此，需要缓解上述问题。

发明内容

本发明的一实施例是关于一种半导体结构，其包括：衬底；有源区域，其包含沟道区及两个源极/漏极区，所述沟道区夹置于所述两个源极/漏极区之间；绝缘区，其从俯视图围绕所述有源区域；及电介质层，其放置于所述绝缘区与所述源极/漏极区之间的界面上方且覆盖所述界面。

本发明的一实施例是关于一种半导体结构，其包括：半导体衬底；栅极结构，其在所述半导体衬底上方，所述栅极结构沿第一方向延伸；有源区域图案，其在所述半导体衬底中，所述有源区域图案沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸，其中所述有源区域图案包含沿所述第二方向的第一边缘及第二边缘；绝缘区，其围绕所述有源区域图案；第一电介质带，其在所述半导体衬底上方，其中所述第一电介质带至少直接覆盖所述有源区域图案的所述第一边缘与所述绝缘区之间的界面；及第二电介质带，其在所述半导体衬底上方，所述第二电介质带与所述第一电介质带隔开，其中所述第二电介质带至少直接覆盖所述有源区域图案的所述第二边缘与第二绝缘区之间的界面。

本发明的一实施例是关于一种制造半导体结构的方法，其包括：接收半导体衬底；在所述半导体衬底中形成绝缘区以在所述半导体衬底中界定有源区；跨界定于所述半导体衬底中的所述有源区形成栅极结构；在所述有源区中形成源极或漏极区，其中所述源极或漏极区邻接所述绝缘区；及在所述源极或漏极区、所述绝缘区及所述栅极结构上方形成光阻保护介电膜，其中所述光阻保护介电膜与所述源极或漏极区与所述绝缘区之间的界面重叠，且暴露所述源极或漏极区的一部分及所述栅极结构的一部分。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述最佳地理解本公开的方面。应注意，根据产业中的标准实践，各种构件未按比例绘制。事实上，为了清楚论述可任意增大或减小各种构件的尺寸。

图1到2图解说明工艺中的半导体装置的剖面图；

图3A、4A、5A、6A及7A为图解说明根据本公开的一些实施例的处于各个制造阶段的半导体装置的片段布局视图的图式；及

图3B、4B、5B、6B及7B为图解说明根据本公开的一些实施例的处于各个制造阶段的半导体装置的片段剖面图的图式。

具体实施方式

以下公开提供用于实施本公开的不同构件的许多不同实施例或实例。下文描述组件及布置的特定实例以简化本公开。当然，此些仅为实例且非打算限制。举例来说，在以下描述中的第一构件形成于第二构件上方或上可包含其中所述第一构件及所述第二构件经形成直接接触的实施例，且也可包含其中额外构件可形成在所述第一构件与所述第二构件之间，使得所述第一构件及所述第二构件可不直接接触的实施例。另外，本公开可在各个实例中重复参考数字及/或字母。此重复出于简化及清楚的目的，且本身不指示所论述的各个实施例及/或配置之间的关系。

此外，为便于描述，例如“在…下面”、“在…下方”、“下”、“在…上方”、“上”及类似者的空间相对术语可在本文中用于描述一个元件或构件与另一(些)元件或构件的关系，如图中图解说明。空间相对术语打算涵盖除在图中描绘的定向以外的使用或操作中的装置的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转90度或按其它定向)，且因此可同样解释本文中使用的空间相对描述符。