[发明专利]集成电路、封装结构以及制造方法

权利要求书

1.一种用于集成电路的封装结构，包括：

一基板，包括至少第一载体及第二载体，所述第一载体及所述第二载体之间相互隔离；

一解耦合电容，位于所述第二载体之上；

一集成电路，与上述解耦合电容固定于一第一介电层之中，该集成电路位于第一载体；

一自举电容，位于上述基板之上，其中上述集成电路以及上述自举电容在所述第一载体上固定于上述第一介电层之中；以及

一导线层，用以将解耦合电容电性耦接至上述集成电路，其中上述导线层位于上述第一介电层且穿过一第二介电层。

2.如权利要求1所述的封装结构，其中上述解耦合电容包括：

一第一导电单元，形成于上述第一介电层之中；

一第一介电单元，形成于上述第一导电单元之上；以及

一第二导电单元，形成于上述第一介电单元之上。

3.如权利要求2所述的封装结构，其中上述自举电容包括：

一第三导电单元，形成于上述第一介电层之中；

一第二介电单元，形成于上述第一导电单元之上；以及

一第四导电单元，形成于上述第二介电单元之上。

4.如权利要求3所述的封装结构，其中上述第一介电单元以及上述第二介电单元的材料与上述第一介电层的材料以及上述第二介电层的材料不同。

5.如权利要求1所述的封装结构，其中上述集成电路包括：

一隔离器，根据一输入信号，提供一第一控制信号以及一第二控制信号；

一第一电力电路，包括：

一第一驱动电路，是由一第二供应电压以及一开关电压所供电，且根据上述第一控制信号于一第一驱动节点产生一第一驱动电压，其中一自举二极管以及上述自举电容是用以将一第一供应电压升压至上述第二供应电压，其中上述自举二极管包括耦接至上述第一供应电压的一自举阳极以及耦接至上述第二供应电压的一自举阴极，其中上述自举电容耦接于上述第二供应电压以及一开关节点的上述开关电压之间；以及

一第一功率晶体管，根据上述第一驱动电压，将一高电压供电至上述开关节点；以及

一第二电力电路，包括：

一第二驱动电路，是由上述第一供应电压以及一第一接地端所供电，且根据上述第二控制信号于一第二驱动节点产生一第二驱动电压；以及

一第二功率晶体管，根据上述第二驱动电压，将上述开关电压下拉至上述第一接地端。

6.如权利要求5所述的封装结构，其中上述第一功率晶体管以及上述第二功率晶体管的每一者为一氮化镓晶体管。

7.如权利要求5所述的封装结构，其中上述隔离器包括：

一第一子隔离器，包括：

一第一发射器，是由一第三供应电压以及一第二接地端所供电，且可根据上述输入信号发送一第一射频信号；

一第一接收器，是由一第二供应电压以及上述开关电压所供电，且可根据上述第一射频信号产生上述第一控制信号；以及

一第一隔离阻障，用以将上述第一发射器以及上述第一接收器之间电性隔离；以及

一第二子隔离器，包括：

一第二发射器，是由一第三供应电压以及一第二接地端所供电，且可根据上述输入信号发送一第二射频信号；

一第二接收器，是由上述第一供应电压以及上述第一接地端所供电，且可根据上述第二射频信号产生上述第二控制信号；以及

一第二隔离阻障，用以将上述第二发射器以及上述第二接收器之间电性隔离。