[发明专利]一种基于超薄p型多晶硅膜的钙钛矿太阳能电池在审
| 申请号： | 201910682960.3 | 申请日： | 2019-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN110444671A | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 徐敬超;张文君;石磊 | 申请（专利权）人： | 杭州众能光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市江干区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 钙钛矿 吸光层 抽取 金属电极 透明基板 电池 透明导电薄膜 空穴 钙钛矿材料 空穴传输层 高结晶性 接触界面 能力增强 低缺陷 耐用性 电荷 传输 畅通 保证 | ||
1.一种基于超薄p型多晶硅膜的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，包括透明基板(1)、超薄p型多晶硅膜(2)、吸光层(3)、电子抽取层(4)和金属电极(5)，所述透明基板(1)、超薄p型多晶硅膜(2)、吸光层(3)、电子抽取层(4)和金属电极(5)依次从下到上排列。
2.根据权利要求1所述一种基于超薄p型多晶硅膜的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述透明基板(1)的材料包括玻璃、塑料和云母片。
3.根据权利要求1所述一种基于超薄p型多晶硅膜的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述吸光层(3)的材料为QDX3型钙钛矿材料，所述Q为Cs+、CH3NH3+、CH(NH2)2+、CH3(CH2)3NH3+中的至少一种，所述D为Pb2+、Sn2+中的至少一种，所述X为Br-、I-、Cl-中的至少一种。
4.根据权利要求1所述一种基于超薄p型多晶硅膜的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述电子抽取层(4)的材料为富勒烯及其衍生物、TiO2、Zn2SnO4、ZnO、SnO2或n型钙钛矿半导体氧化物。
5.根据权利要求1所述一种基于超薄p型多晶硅膜的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述金属电极(5)的材料为金、银、铜、铝、镍、钛中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的一种基于超薄p型多晶硅膜的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述超薄p型多晶硅膜(2)的厚度为5～600nm。
7.根据权利要求1所述的一种基于超薄p型多晶硅膜的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述超薄p型多晶硅膜(2)的制备方法为化学气相沉积法、固相晶化非晶硅薄膜法或金属诱导晶化非晶硅薄膜法。
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