[发明专利]封装结构有效
| 申请号: | 201910681487.7 | 申请日: | 2019-07-26 | 
| 公开(公告)号: | CN110718535B | 公开(公告)日: | 2021-07-02 | 
| 发明(设计)人: | 石磊 | 申请(专利权)人: | 南通通富微电子有限公司 | 
| 主分类号: | H01L23/552 | 分类号: | H01L23/552;H01L23/31;H01L21/56 | 
| 代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 高德志 | 
| 地址: | 226001 江苏省南通市苏通科技产*** | 国省代码: | 江苏;32 | 
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 | 
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 封装 结构 | ||
1.一种封装结构,其特征在于,包括:
预封面板,所述预封面板包括塑封层,所述塑封层中具有若干半导体芯片,每个半导体芯片包括功能面和与功能面相对的非功能面,所述功能面上具有若干焊盘,所述塑封层暴露出功能面上的若干焊盘,所述半导体芯片的功能面上还具有底部屏蔽层,所述底部屏蔽层覆盖半导体芯片的整个功能面,所述底部屏蔽层的四周边缘与半导体芯片的四周侧壁齐平,若干焊盘贯穿底部屏蔽层,焊盘与底部屏蔽层之间通过隔离层隔离,且所述具有底部屏蔽层的半导体芯片的形成过程为:提供晶圆,所述晶圆上形成有若干半导体芯片,所述半导体芯片包括顶层介质层和位于顶层介质层中的顶层互连结构;在所述顶层介质层上形成隔离层;刻蚀所述隔离层,在所述隔离层中形成若干第一开口和包围所述若干第一开口的第二开口,每一个第一开口相应的暴露出顶层互连结构部分表面,所述第二开口的深度小于隔离层的厚度,且剩余的隔离层仅位于第一开口和第二开口之间,将所述第一开口和第二开口隔开;在所述若干第一开口中填充金属材料形成若干焊盘,在所述第二开口中填充金属材料形成底部屏蔽层;形成焊盘和底部 屏蔽层后,切割所述晶圆,形成若干分立具有底部 屏蔽层的半导体芯片;
位于半导体芯片与塑封层之间的第一屏蔽层,所述第一屏蔽层包覆所述半导体芯片的非功能面和侧壁表面,所述第一屏蔽层与底部屏蔽层的四周边缘连接;
位于预封面板的背面上的与焊盘连接的外部接触结构。
2.如权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述第一屏蔽层的形成工艺为溅射、选择性电镀工艺、点胶工艺或网板印刷工艺,所述第一屏蔽层至少还覆盖半导体芯片之间周围的部分载板表面;所述第一屏蔽层的材料为铜、钨、铝、焊料或导电银胶。
3.如权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述第一屏蔽层和塑封层之间还具有第二屏蔽层,所述第二屏蔽层覆盖所述第一屏蔽层表面。
4.如权利要求3所述的封装结构,其特征在于,所述第二屏蔽层通过溅射、选择性电镀工艺、点胶工艺或网板印刷工艺形成;所述第二屏蔽层的材料为铜、钨、铝、焊料或导电银胶。
5.如权利要求3所述的封装结构,其特征在于,所述第一屏蔽层为磁场屏蔽层,且所述第二屏蔽层为电场屏蔽层;或者所述第一屏蔽层为电场屏蔽层,且所述第二屏蔽层为磁场屏蔽层。
6.如权利要求5所述的封装结构,其特征在于,所述电场屏蔽层的材料为铜、钨、铝;所述磁场屏蔽层的材料为CoFeB合金、CoFeTa、NiFe、Co、CoFe、CoPt或者Ni、Co和Fe的合金。
7.如权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述外部接触结构包括位于预封面板背面上与焊盘连接的再布线层以及位于再布线层上与再布线层连接的外部接触件。
8.如权利要求7所述的封装结构,其特征在于,所述预封面板的背面上具有绝缘层,所述绝缘层中具有暴露出焊盘表面的开口,所述再布线层位于所述开口中以及部分绝缘层表面上,所述外部接触件位于开口外的再布线层表面上。
9.如权利要求8所述的封装结构,其特征在于,还包括:位于绝缘层中将第一屏蔽层与部分再布线层电连接的导电接触结构。
10.如权利要求1所述的封装结构,其特征在于,还包括:所述焊盘上还具有金属凸块。
11.一种将如权利要求1-10所述的封装结构进行分割后形成的独立的封装结构,其特征在于,包括:塑封层,所述塑封层中具有半导体芯片,所述半导体芯片包括功能面和与功能面相对的非功能面,所述功能面上具有若干焊盘,所述塑封层暴露出功能面上的若干焊盘,所述半导体芯片的功能面上还具有底部屏蔽层,所述底部屏蔽层覆盖半导体芯片的整个功能面,所述底部屏蔽层的四周边缘与半导体芯片的四周侧壁齐平,若干焊盘贯穿底部屏蔽层,焊盘与底部屏蔽层之间通过隔离层隔离;位于半导体芯片与塑封层之间的第一屏蔽层,所述第一屏蔽层包覆所述半导体芯片的非功能面和侧壁表面,所述第一屏蔽层与底部屏蔽层的四周边缘连接;
位于半导体芯片的功能面上的与焊盘连接的外部接触结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南通通富微电子有限公司,未经南通通富微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910681487.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种定位标识的制作方法
 - 下一篇:封装结构
 





