[发明专利]非接触式上下芯片封装结构及其封装方法

权利要求书

1.一种非接触式上下芯片封装结构，其特征在于，包括：

引线框，所述引线框包括第一子框架和第二子框架，所述第一子框架和第二子框架相对的一侧均设有第一引脚、第二引脚和第三引脚，所述第一引脚和第二引脚上下错开设置，并且所述第二引脚位于第一引脚的下方，所述第一子框架和第二子框架上的第一引脚之间形成有第一开口，所述第一子框架和第二子框架上的第二引脚之间形成有第二开口，所述第一开口的宽度大于第二开口的宽度；

第一芯片，所述第一芯片的下表面与第一子框架和第二子框架上的第一引脚分别电性连接，并且所述第一芯片的下表面一部分被第一开口暴露；

第二芯片，所述第二芯片的下表面通过绝缘胶层与第一子框架和第二子框架上的第二引脚分别固定连接，并且所述第二芯片的下表面一部分被第二开口暴露，所述第二芯片的上表面通过焊线与第一子框架和第二子框架上的第三引脚分别电性连接，所述第二芯片的上表面与第一芯片的下表面之间保持有间隙；

塑封体，所述塑封体包封所述第一芯片、第二芯片、第一引脚、第二引脚和第三引脚。

2.根据权利要求1所述的非接触式上下芯片封装结构，其特征在于，所述第一引脚为与引线框主体的上表面平齐的平直引脚，所述第二引脚和第三引脚均为自引线框主体的上表面向下打凹的打凹引脚，并且所述第二引脚和第三引脚的上表面平齐。

3.根据权利要求1所述的非接触式上下芯片封装结构，其特征在于，所述第一芯片的下表面设有向下凸伸的铜柱凸点，所述铜柱凸点的末端设有锡帽，所述第一芯片通过锡帽与第一子框架和第二子框架上的第一引脚分别焊接连接。

4.根据权利要求1所述的非接触式上下芯片封装结构，其特征在于，所述第二芯片的上表面设有若干焊盘，所述焊盘通过焊线与第一子框架和第二子框架上的第三引脚分别焊接连接。

5.根据权利要求1所述的非接触式上下芯片封装结构，其特征在于，所述第二引脚伸出于第一开口的下方。

6.一种非接触式上下芯片封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)成型引脚：采用冲切或切割方式，在引线框的第一子框架和第二子框架上成型出第一引脚、第二引脚和第三引脚，并使第一引脚的伸出长度小于第二引脚和第三引脚的伸出长度；

2)第二引脚打凹成型：采用模具对第二引脚进行冲压，使第二引脚相对第一引脚向下弯折，使第一子框架和第二子框架上的第一引脚之间形成第一开口，第一子框架和第二子框架上的第二引脚之间形成第二开口，第一开口的宽度大于第二开口的宽度；

3)第三引脚打凹成型：采用模具对第三引脚进行冲压，使第三引脚相对第一引脚向下弯折；

4)第二芯片组装：首先，使第二芯片穿过第一开口，然后，采用绝缘胶层使第二芯片与第一子框架和第二子框架上的第二引脚分别固定连接，最后，通过焊线使第二芯片的上表面与第三引脚电性连接；

5)第一芯片组装：采用回流焊使第一芯片的下表面与第一子框架和第二子框架上的第一引脚分别电性连接；

6)封装成型：通过真空模具使封装材料包封所述第一芯片、第二芯片、第一引脚、第二引脚和第三引脚从而形成塑封体。

7.根据权利要求6所述的非接触式上下芯片封装方法，其特征在于，

步骤3)中，第三引脚的上表面与第二引脚的上表面平齐。

8.根据权利要求6所述的非接触式上下芯片封装方法，其特征在于，步骤4)中，第二芯片组装时，在温度为140℃～160℃时烘烤2～3h使绝缘胶层固化，实现第二芯片与第二引脚的固定连接。

9.根据权利要求6所述的非接触式上下芯片封装方法，其特征在于，所述第一芯片的上表面与塑封体的上表面的距离为90-110μm。

10.根据权利要求6所述的非接触式上下芯片封装方法，其特征在于，步骤6)中，所述封装材料选用流动性好、粒径小于50μm的塑料颗粒。