[发明专利]一种负胶剥离液、其制备方法及应用

说明书

本发明公开了一种负胶剥离液、其制备方法及应用。所述的负胶剥离液，其原料包括下列组分：季铵碱、烷醇胺、缓蚀剂、直链酰胺类有机溶剂、砜类和/或亚砜类有机溶剂、醇醚类有机溶剂、烷酮类有机溶剂、PO‑EO‑乙烯基二元胺共聚物和余量的水，各组分质量分数之和为100％，所述的PO‑EO‑乙烯基二元胺共聚物为Tetronic 1107、Tetronic 1301和Tetronic 1307中的一种或多种。本发明的负胶剥离液在具有好的剥离性能的情况下，对其他多种材料不构成破坏性腐蚀，具有高的应用价值。

技术领域

本发明涉及一种负胶剥离液、其制备方法及应用。

背景技术

光刻胶一般分为正胶、负胶、干膜等多种类型。光刻胶的剥离或去除，是芯片制造工艺中的重要环节。随着半导体芯片结构越来越复杂，其制造工艺中所用光刻胶剥离液所面临的环境也越来越复杂，需在剥离液清除光刻胶的同时，不产生残渣，且对环境中的金属和非金属介质有一定的腐蚀限制。若超出腐蚀限制，将对芯片产生不可逆转的破坏。

目前市场上的各类光刻胶负胶和干膜剥离液，均无法同时满足上述要求。例如CN1291281C中所公开的剥离液仅集中在解决金属腐蚀问题上，并未提及非金属介质的缓蚀问题。而专利CN104024394A中所公开的剥离液仅集中在解决光刻胶剥离问题上，并未提及金属及非金属介质的缓蚀问题。

市场亟需开发一款能同时满足剥离、缓蚀等多方面要求的负胶剥离液。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是为了针对现有技术中的负胶剥离液存在不能同时满足剥离、缓蚀等多方面要求的缺陷，而提供了一种负胶剥离液、其制备方法和应用。本发明的负胶剥离液在具有好的剥离性能的情况下，对其他多种材料不构成破坏性腐蚀。

本发明主要是通过以下技术手段解决上述技术问题的。

本发明提供了一种负胶剥离液，其原料包括下列质量分数的组分：1.00％-5.00％的季铵碱、5.00％-40.00％的烷醇胺、0.10％-8.00％的缓蚀剂、10.00-30.00％的直链酰胺类有机溶剂、5.00-25.00％的砜类和/或亚砜类有机溶剂、15.00％-30.00％的醇醚类有机溶剂、5.00％-15.00％的烷酮类有机溶剂、0.01％-2.00％的PO-EO-乙烯基二元胺共聚物和余量的水，各组分质量分数之和为100％，所述的PO-EO-乙烯基二元胺共聚物为Tetronic1107、Tetronic 1301和Tetronic 1307中的一种或多种。

其中，所述的季铵碱的质量分数优选为2.00％-4.00％，更优选为2.50％-3.50％。所述的烷醇胺的质量分数优选为20.00％-35.00％，更优选为25.00％-30.00％。所述的缓蚀剂的质量分数优选为0.50％-5.00％，更优选为2.00％-4.00％。所述的直链酰胺类有机溶剂的质量分数优选为15.00-25.00％，更优选为18.00-20.00％。所述的砜类和/或亚砜类有机溶剂的质量分数优选为8.00-23.00％，更优选为10.00-13.00％。所述的醇醚类有机溶剂的质量分数优选为18.00％-28.00％，更优选为20.00％-25.00％。所述的烷酮类有机溶剂的质量分数优选为6.00％-10.00％，更优选为7.00％-9.00％。所述的PO-EO-乙烯基二元胺共聚物的质量分数优选为0.05％-1.50％，更优选为0.10％-1.30％。