[发明专利]一种改性金属氧化物及其制备方法与量子点发光二极管有效
| 申请号: | 201910678252.2 | 申请日: | 2019-07-25 |
| 公开(公告)号: | CN112310288B | 公开(公告)日: | 2022-01-18 |
| 发明(设计)人: | 聂志文;刘文勇 | 申请(专利权)人: | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文;刘芙蓉 |
| 地址: | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 改性 金属 氧化物 及其 制备 方法 量子 发光二极管 | ||
1.一种改性金属氧化物的制备方法,其特征在于,包括步骤:
将初始金属氧化物分散在第一极性溶剂中,制得初始金属氧化物溶液;
在第一温度条件下,向所述初始金属氧化物溶液中加入有机螯合物溶液并进行混合处理,所述有机螯合物中的孤电子对与初始金属氧化物表面的金属阳离子发生配位结合,以使有机螯合物与所述初始金属氧化物表面的金属阳离子发生螯合作用,制得所述改性金属氧化物;所述有机螯合物溶液包括第二极性溶剂以及分散在所述第二极性溶剂中的有机螯合物,所述有机螯合物选自二乙烯三胺五乙酸、二乙烯三胺、2,2-联吡啶、4-甲酸-2,2-联吡啶和1,10-二氮菲中的一种或多种;
其中,所述初始金属氧化物为TiO2、ZnO、ZrO、SnO2、WO3、In2O3以及Nb2O5的至少之一;
或者,所述初始金属氧化物为金属单质掺杂的TiO2、金属单质掺杂的ZnO、金属单质掺杂的ZrO、金属单质掺杂的SnO2、金属单质掺杂的WO3、金属单质掺杂的In2O3、金属单质掺杂的Nb2O5,其中,所述金属单质为Al、Mg、In、Li、Ga、Cd、Cs和Cu中的一种或多种;
或者,所述初始金属氧化物为稀土离子掺杂的TiO2、稀土离子掺杂的ZnO、稀土离子掺杂的ZrO、稀土离子掺杂的SnO2、稀土离子掺杂的WO3、稀土离子掺杂的In2O3以及稀土离子掺杂的Nb2O5的至少之一。
2.根据权利要求1所述改性金属氧化物的制备方法,其特征在于,所述向所述初始金属氧化物溶液中加入有机螯合物溶液的步骤中,所述初始金属氧化物溶液的浓度为5-20mg/ml,所述有机螯合物溶液的浓度为0.5-2mg/ml,所述初始金属氧化物溶液与有机螯合物溶液的体积比为(10-20):(0.1-2)。
3.根据权利要求1所述改性金属氧化物的制备方法,其特征在于,所述第一温度为25-100℃;所述混合处理的时间为5min-12h。
4.根据权利要求1所述改性金属氧化物的制备方法,其特征在于,所述第一极性溶剂和所述第二极性溶剂分别独立地选自水、乙醇、甲醇、丙醇和甲酰胺中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述改性金属氧化物的制备方法,其特征在于,在所述有机螯合物与所述初始金属氧化物表面的金属阳离子发生螯合作用之后,制得所述改性金属氧化物之前,进一步包括:
利用非极性溶剂对所述有机螯合物与所述初始金属氧化物表面的金属阳离子发生螯合作用的混合溶液进行沉淀;
对经过所述沉淀的所述混合溶液依次进行离心和分离。
6.根据权利要求5所述改性金属氧化物的制备方法,其特征在于,所述非极性溶剂选自乙酸乙酯、乙酸甲酯和乙酸丙酯中的一种或多种。
7.一种改性金属氧化物,其特征在于,所述改性金属氧化物是利用权利要求1-6任一项所述的方法制备的。
8.一种量子点发光二极管,包括电子传输层,其特征在于,所述电子传输层的材料为权利要求7所述的改性金属氧化物,或为权利要求1-6任一所述制备方法制备的改性金属氧化物。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TCL科技集团股份有限公司,未经TCL科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910678252.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





