[发明专利]p型氮化镓系半导体的制造方法及热处理方法在审
| 申请号： | 201910677777.4 | 申请日： | 2019-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN110867371A | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 谷村英昭;山田隆泰;加藤慎一;青山敬幸 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 陈甜甜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 半导体 制造 方法 热处理 | ||
【权利要求书】：
1.一种p型氮化镓系半导体的制造方法，其特征在于具备：
注入工序，向氮化镓衬底注入p型掺杂剂；及
加热工序，在包含氮及氢的气氛中以小于1秒的照射时间向所述衬底照射闪光，加热所述衬底。
2.根据权利要求1所述的p型氮化镓系半导体的制造方法，其中
所述包含氮及氢的气氛为氨气氛。
3.根据权利要求1所述的p型氮化镓系半导体的制造方法，其中
所述包含氮及氢的气氛为氮氢混合气氛。
4.一种热处理方法，其特征在于具备：
搬入工序，将注入有p型掺杂剂的氮化镓衬底搬入至腔室内；
气氛形成工序，在所述腔室内形成包含氮及氢的气氛；及
光照射工序，以小于1秒的照射时间向所述衬底照射闪光，加热所述衬底。
5.根据权利要求4所述的热处理方法，其中
所述包含氮及氢的气氛为氨气氛。
6.根据权利要求4所述的热处理方法，其中
所述包含氮及氢的气氛为氮氢混合气氛。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社斯库林集团，未经株式会社斯库林集团许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910677777.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
