[发明专利]图像传感器晶圆、芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 201910677389.6 | 申请日： | 2019-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN110379805B | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 林峰;张弓 | 申请（专利权）人： | 豪威科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L33/48;H01L33/58;H01L21/683;H01L21/60;A61B1/00;A61B1/04 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑星 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图像传感器 芯片 及其 制作方法 | ||
1.一种图像传感器晶圆，其特征在于，包括：
载体晶圆，包括载体基底、以及所述载体基底上依次设置的LED发光器件和第一介质层；
器件晶圆，包括器件基底、以及所述器件基底上依次设置的第二介质层和遮光金属层；
键合氧化层，在所述遮光金属层上设置键合氧化层，并通过所述键合氧化层实现对所述载体晶圆与所述器件晶圆的键合；
其中，所述器件晶圆包括：像素区及围绕所述像素区设置的逻辑区，在所述逻辑区设置有若干贯穿所述器件基底和所述第二介质层的光通道。
2.根据权利要求1所述的图像传感器晶圆，其特征在于，开设于所述逻辑区中的所述光通道形状包括正方体、长方体或圆柱体。
3.根据权利要求2所述的图像传感器晶圆，其特征在于，所述光通道内设置有透光材料。
4.根据权利要求1所述的图像传感器晶圆，其特征在于，所述遮光金属层设置在所述像素区，所遮光金属层的材质包括铝或铜。
5.根据权利要求1所述的图像传感器晶圆，其特征在于，所述第一介质层和所述键合氧化层均为二氧化硅层；其中，所述第二介质层中设置有转换器件、金属布线层、传输栅及逻辑栅。
6.一种图像传感器芯片，其特征在于，所述图像传感器芯片由如权利要求1-5中任一项所述的图像传感器晶圆制得。
7.一种权利要求6所述的图像传感器芯片应用于内窥镜探测头中。
8.一种图像传感器晶圆的制作方法，其特征在于，包括：
提供载体基底，在所述载体基底上依次设置LED发光器件和第一介质层，以形成载体晶圆；
提供器件基底，在所述器件基底上依次设置第二介质层和遮光金属层，以形成器件晶圆；其中，所述器件晶圆包括像素区及围绕所述像素区设置的逻辑区；
在所述遮光金属层上设置键合氧化层，并通过所述键合氧化层实现对所述载体晶圆与所述器件晶圆的键合；
在所述逻辑区设置贯穿所述器件基底和所述第二介质层的光通道，并在所述光通道内填充透光性材料。
9.根据权利要求8所述的图像传感器晶圆的制作方法，其特征在于，所述载体晶圆与所述器件晶圆键合之后，在所述逻辑区形成光通道之前，还包括：对所述器件晶圆的所述器件基底进行减薄处理。
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