[发明专利]热处理方法在审
| 申请号： | 201910676989.0 | 申请日： | 2019-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN110867370A | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 大森麻央;古川雅志 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/26 | 分类号： | H01L21/26 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 陈甜甜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 热处理 方法 | ||
1.一种热处理方法，其特征在于：通过对基板照射光而将该基板加热，且包括：
光照射工序，在从连续点亮灯对在腔室内保持在基座的基板进行光照射而将所述基板预加热之后，通过来自闪光灯的闪光照射而将所述基板闪光加热；
减压工序，将所述腔室内的气氛排出而将所述腔室内减压；以及
加热工序，在所述减压工序之前，从所述连续点亮灯进行光照射而将所述腔室内的气氛加热。
2.根据权利要求1所述的热处理方法，其特征在于，
所述加热工序进而也在开始所述减压工序之后继续执行。
3.根据权利要求1所述的热处理方法，其特征在于，
所述减压工序及所述加热工序于在所述腔室内所述基板保持在所述基座的状态下执行。
4.根据权利要求3所述的热处理方法，其特征在于，
所述减压工序及所述加热工序在所述光照射工序之前及之后执行。
5.根据权利要求1所述的热处理方法，其特征在于，
所述减压工序及所述加热工序于在所述腔室内不存在基板的状态下执行。
6.根据权利要求5所述的热处理方法，其特征在于，
所述减压工序及所述加热工序在所述腔室的维护前执行。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的热处理方法，其特征在于，
在所述加热工序中，将所述连续点亮灯以固定电力点亮而将所述腔室内的气氛加热。
8.根据权利要求1至6中任一项所述的热处理方法，其特征在于，
在所述加热工序中，基于所述腔室内的气氛温度或所述基座的温度而对所述连续点亮灯的输出进行反馈控制。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
