[发明专利]活性物质的制造方法有效
| 申请号： | 201910675974.2 | 申请日： | 2015-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN110299531B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 川上贵洋;池沼达也;落合辉明;吉富修平;元吉真子;三宅裕之;门马洋平;广桥拓也;濑尾哲史 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/505;H01M4/525;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 刘多益;樊云飞 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 活性 物质 制造 方法 | ||
1.一种活性物质的制造方法，包括：
形成锂化合物、锰化合物和镍化合物的混合物，
对所述混合物进行烧成而形成一次粒子，使多个所述一次粒子烧结而形成二次粒子，
将所述二次粒子研碎成多个粒子，
在所述多个粒子上覆盖含石墨烯层，
所述多个粒子中，第一粒子的第一劈开面被所述含石墨烯层所覆盖，
所述第一劈开面通过所述研碎而形成，
所述多个粒子中，第二粒子的第二劈开面被所述含石墨烯层所覆盖，
所述第一粒子和所述第二粒子与所述石墨烯粘结，
所述第一劈开面和所述第二劈开面具有结晶沿着特定的方向裂开而产生的结晶面，
并且，以锂的氧化还原电位为参考电位，并且在高于或等于2.0V且低于或等于4.8V的电压范围内，包含所述活性物质的电极的第1至第15次循环的充放电容量高于或等于260mAh/g。
2.根据权利要求1所述的活性物质的制造方法，其中所述烧成在800℃以上且1000℃以下的温度进行。
3.根据权利要求1所述的活性物质的制造方法，其中所述研碎用砂磨机来进行。
4.根据权利要求1所述的活性物质的制造方法，其中在覆盖所述含石墨烯层之前对所述粒子在300℃以上且1000℃以下的温度进行加热处理。
5.一种活性物质的制造方法，包括：
形成锂化合物、锰化合物和钴化合物的混合物，
对所述混合物进行烧成而形成一次粒子，使多个所述一次粒子烧结而形成二次粒子，
将所述二次粒子研碎成多个粒子，
在所述多个粒子上覆盖含石墨烯层，
所述多个粒子中，第一粒子的第一劈开面被所述含石墨烯层所覆盖，
所述第一劈开面通过所述研碎而形成，
所述多个粒子中，第二粒子的第二劈开面被所述含石墨烯层所覆盖，
所述第一粒子和所述第二粒子与所述石墨烯粘结，
所述第一劈开面和所述第二劈开面具有结晶沿着特定的方向裂开而产生的结晶面，
并且，以锂的氧化还原电位为参考电位，并且在高于或等于2.0V且低于或等于4.8V的电压范围内，包含所述活性物质的电极的第1至第15次循环的充放电容量高于或等于260mAh/g。
6.根据权利要求5所述的活性物质的制造方法，其中所述烧成在800℃以上且1000℃以下的温度进行。
7.根据权利要求5所述的活性物质的制造方法，其中所述研碎用砂磨机来进行。
8.根据权利要求5所述的活性物质的制造方法，其中对所述粒子在300℃以上且1000℃以下的温度进行加热处理。
9.一种活性物质的制造方法，包括：
形成锂化合物、锰化合物和镍化合物的混合物，
对所述混合物进行烧成而形成一次粒子，使多个所述一次粒子烧结而形成二次粒子，
将所述二次粒子研碎成多个粒子，
进行所述多个粒子和氧化石墨烯的混合，
进行所述多个粒子上的氧化石墨烯的还原，在所述多个粒子上覆盖含石墨烯层，
所述多个粒子中，第一粒子的第一劈开面被所述含石墨烯层所覆盖，
所述第一劈开面通过所述研碎而形成，
所述多个粒子中，第二粒子的第二劈开面被所述含石墨烯层所覆盖，
所述第一粒子和所述第二粒子与所述石墨烯粘结，
所述第一劈开面和所述第二劈开面具有结晶沿着特定的方向裂开而产生的结晶面，
并且，以锂的氧化还原电位为参考电位，并且在高于或等于2.0V且低于或等于4.8V的电压范围内，包含所述活性物质的电极的第1至第15次循环的充放电容量高于或等于260mAh/g。
10.根据权利要求9所述的活性物质的制造方法，其中所述烧成在800℃以上且1000℃以下的温度进行。
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