[发明专利]半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

形成一鳍结构，其包含多个第一半导体层及多个第二半导体层交替堆叠于一底部鳍结构上方；

在该鳍结构上方形成具有多个侧壁间隔物的一牺牲栅极结构，该些侧壁间隔物以垂直于一半导体基板的一主表面的一方向形成；

去除未被该牺牲栅极结构覆盖的该鳍结构的一源极/漏极区域；

横向凹陷该些第二半导体层；

在该些经凹陷第二半导体层的横向端部上形成多个介电内部间隔物；

横向凹陷该些第一半导体层；

形成一源极/漏极磊晶层以接触该些经凹陷第一半导体层的横向端部；

去除该些第二半导体层，从而露出一通道区域中的该些第一半导体层；以及

形成一栅极结构围绕该些第一半导体层；

其中该些第一半导体层的端部及该些第二半导体层的端部具有凹形形状。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在该些第一半导体层中的至少一者与该源极/漏极磊晶层之间的一介面位于该些侧壁间隔物中的一者之下。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，该介面比该些侧壁间隔物中的一者的一中心线更接近该栅极结构。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该些侧壁间隔物不与该些第一半导体层接触。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成该些介电内部间隔物的步骤包括：

形成一介电层及蚀刻该介电层，以及

该源极/漏极磊晶层通过该介电层的一部分与该底部鳍结构分隔。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该些侧壁间隔物的一材料不同于该些介电内部间隔物的一材料。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，该些介电内部间隔物的该材料为氮化硅。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，该些侧壁间隔物的该材料为SiOC、SiCON及SiCN中的一者。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该些第一半导体层由Ge或Si_1-xGe_x组成，其中0.5≤x1，且该些第二半导体层由Si_1-yGe_y组成，其中0.2≤y≤0.6且xy。

10.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

形成一鳍结构，其中该鳍结构包含多个第一半导体层及多个第二半导体层交替堆叠于一底部鳍结构上方；

在该鳍结构上方形成具有多个侧壁间隔物的一牺牲栅极结构，该些侧壁间隔物以垂直于一半导体基板的一主表面的一方向形成；

去除未由该牺牲栅极结构覆盖的该鳍结构的一源极/漏极区域中的该些第二半导体层；

形成一介电层；

在该源极/漏极区域中蚀刻该介电层及该些第一半导体层，从而在该些第二半导体层的横向端部形成多个介电内部间隔物；

横向凹陷该些第一半导体层；

形成一源极/漏极磊晶层以接触该些经凹陷第一半导体层的横向端部；

去除该些第二半导体层，从而露出一通道区域中的该些第一半导体层；以及

形成一栅极结构围绕该些第一半导体层；

其中在该些介电内部间隔物形成之后，该介电层的一部分保留在该些侧壁间隔物之上。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在该些第一半导体层中的至少一者与该源极/漏极磊晶层之间的一介面位于该些侧壁间隔物中的一者之下。

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，该些侧壁间隔物不与该些第一半导体层接触。