[发明专利]测试半导体器件的系统和方法以及制造半导体器件的方法在审
申请号: | 201910675475.3 | 申请日: | 2019-07-25 |
公开(公告)号: | CN110783215A | 公开(公告)日: | 2020-02-11 |
发明(设计)人: | 金俊培;赵容晧 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67 |
代理公司: | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 张波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 开口 二维布置 半导体器件测试 测试半导体器件 半导体器件 测试器件 装载 覆盖 制造 | ||
本发明涉及测试半导体器件的系统和方法以及制造半导体器件的方法。该半导体器件测试系统可以包括:主体,提供其中装载测试器件的内部空间;以及盖,联接到主体以覆盖内部空间。盖可以包括第一盖和第二盖,第一盖包括二维布置的第一开口,第二盖包括二维布置的第二开口。第一开口的布置可以不同于第二开口的布置。
技术领域
本发明构思涉及测试半导体器件的系统和方法,更具体地,涉及测试影响半导体器件的电磁干扰(EMI)的系统和方法。
背景技术
半导体制造工艺复杂并且需要检查。因此,为了管理所制造的半导体器件的质量,有必要针对缺陷测试半导体器件。针对缺陷检查半导体器件顾及缺陷检测,并因此使制造半导体器件的过程中产出的半导体器件的可靠性提高。半导体器件的可靠性还可以通过测试并评估半导体器件的电磁干扰特性而提高。
发明内容
本发明构思提供了测试半导体器件的系统和方法从而提高可靠性。
根据本发明构思的一示例性实施方式,一种半导体器件测试系统可以包括主体,主体形成其中装载测试器件的内部空间。盖联接到主体以覆盖内部空间。盖还可以包括第一盖和第二盖,第一盖包括第一开口的阵列,第二盖包括第二开口的阵列。第一开口的阵列不同于第二开口的阵列。
根据本发明构思的一示例性实施方式,提供了一种测试半导体器件的方法。该方法使用半导体器件测试系统来执行,该半导体器件测试系统包括其中装载测试器件的主体。第一盖联接到主体并具有布置成第一阵列的第一开口。第二盖联接到主体并具有布置成第二阵列的第二开口,第二阵列不同于第一阵列。该方法包括将测试器件装载到主体中并使用第一盖对测试器件执行第一测试工艺。该方法还包括使用第二盖对测试器件执行第二测试工艺。通过第一测试工艺和第二测试工艺获得的数据被重叠,以获得关于测试器件的测试数据。
根据本发明构思的示例性实施方式,一种制造半导体器件的方法可以包括对半导体器件执行封装工艺。在封装工艺之后可以对半导体器件执行测试工艺。执行测试工艺可以包括将半导体器件装载到测试插口中。可以对半导体器件执行第一测试工艺,在第一测试工艺中测试探针被插入到第一开口中,第一开口形成在覆盖测试插口的第一盖中。对半导体器件执行第二测试工艺,在第二测试工艺中测试探针被插入到第二开口中,第二开口形成在覆盖测试插口的第二盖中。当从俯视图看时,第二开口从第一开口偏移。接着,执行用于重叠通过第一测试工艺和第二测试工艺获得的数据的步骤。
附图说明
本发明构思的以上和另外的特征将由以下结合附图的描述被更清楚地理解,附图中:
图1是示意性地示出根据本发明构思的一示例性实施方式的半导体器件测试系统的分解透视图;
图2A是示出根据本发明构思的一示例性实施方式的第一盖的俯视图,图2B是示出根据本发明构思的一示例性实施方式的第二盖的俯视图;
图2C是示出图2A的第一盖和图2B的第二盖彼此重叠的俯视图;
图3A是示出根据本发明构思的一示例性实施方式的第一盖的俯视图,图3B是示出根据本发明构思的一示例性实施方式的第二盖的俯视图;
图3C是示出图3A的第一盖和图3B的第二盖彼此重叠的俯视图;
图4A是示出根据本发明构思的一示例性实施方式的第一盖的俯视图,图4B是示出根据本发明构思的一示例性实施方式的第二盖的俯视图;
图4C是示出图4A的第一盖和图4B的第二盖彼此重叠的俯视图;
图5是示出根据本发明构思的一示例性实施方式的使用依据图1的半导体器件测试系统制造半导体器件的过程的流程图;
图6A、6B、6C和6D是示出根据本发明构思的一示例性实施方式的使用图2A至2C的第一盖和第二盖测试半导体器件的过程的图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造