[发明专利]一种工作波长可定量调控的硅基吸波器及其制备方法

权利要求书

1.一种工作波长可定量调控的硅基吸波器，其特征在于：所述工作波长可定量调控的硅基吸波器包括：

基底层；

连接于基底层上表面的介质层；

连接于介质层上表面的硅基超表面结构层；

其中，所述硅基超表面结构层上设置有均匀排列的若干圆柱形孔，定量地选择不同的圆柱形孔的直径来实现对应特定的硅基吸波器的工作波长，所述圆柱形孔的直径为300nm、350nm或400nm；所述基底层由不透明金属材料制成，所述硅基超表面结构层由半导体硅材料制成，所述介质层由二氧化硅材料制成；所述若干圆柱形孔按六角阵列排列；

所述基底层的厚度为250nm，所述介质层的厚度为30nm，所述硅基超表面结构层的厚度为60nm；

所述的工作波长可定量调控的硅基吸波器的制备方法，包括以下步骤：

步骤1、准备洁净的硅片或者玻璃片备用；

步骤2、在步骤1准备好的洁净硅片或者玻璃片上沉积一层金属膜，形成基底层；

步骤3、在步骤2的基底层上沉积一层介质膜，形成介质层；

步骤4、在步骤3的介质层上按照六角形阵列铺设胶体球，形成胶体球阵列层；

步骤5、运用化学刻蚀技术刻蚀胶体球阵列，使胶体球之间产生空隙，形成彼此分隔开的非密排胶体球阵列层；

步骤6、在所述空隙内沉积一层硅膜，形成彼此分隔开的非密排胶体球阵列层与硅膜层的复合结构层；

步骤7、剥离彼此分隔开的非密排胶体球阵列层，得到工作波长可定量调控的硅基吸波器。

2.根据权利要求1所述的工作波长可定量调控的硅基吸波器，其特征在于：步骤4中所述胶体球通过胶体自组装铺设于所述介质层上。

3.根据权利要求1所述的工作波长可定量调控的硅基吸波器，其特征在于：步骤2、步骤3、步骤6中的沉积为物理沉积。

4.根据权利要求1所述的工作波长可定量调控的硅基吸波器，其特征在于：步骤7中的剥离为物理剥离或者化学刻蚀剥离。