[发明专利]一种SiO2-MoS2电极材料、制备方法及应用在审
| 申请号： | 201910671413.5 | 申请日： | 2019-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN110517895A | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 郑佳红;张润梅;牛世峰 | 申请（专利权）人： | 长安大学 |
| 主分类号： | H01G11/24 | 分类号： | H01G11/24;H01G11/30;C01B33/18;C01G39/06;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 61216 西安恒泰知识产权代理事务所 | 代理人： | 孙雅静<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 710064 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电化学性能 电极材料 复合 二氧化硅微球 电化学测试 单一电极 复合介质 水热法制 电容 添加量 制备 潜能 应用 研究 | ||
1.一种SiO2-MoS2电极材料，其特征在于，所述的电极材料为在纳米级的多面体MoS2中掺入SiO2。
2.根据权利要求1所述的SiO2-MoS2电极材料，其特征在于，所述的SiO2为二氧化硅微球，微球粒径范围为0～1μm；微球的掺入量为0.02～0.08g。
3.根据权利要求1所述的SiO2-MoS2电极材料，其特征在于，所述的纳米级的多面体MoS2由纳米片和圆球状结构组成。
4.根据权利要求1、2或3所述的SiO2-MoS2电极材料，其特征在于，所述的SiO2-MoS2电极材料的制备包括：
SiO2、硫脲和钼酸铵制备成混合溶液，通过水热法进行电极材料的生长；
SiO2、硫脲和钼酸铵三者的质量比为0.02～0.08：1.304：0.7062。
5.根据权利要求4所述的SiO2-MoS2电极材料，其特征在于，所述水热法的温度为180℃，水热法的反应时间为18h。
6.一种SiO2-MoS2电极材料的制备方法，其特征在于，所述的SiO2-MoS2电极材料为在纳米级的多面体MoS2中掺入SiO2。
所述的SiO2为二氧化硅微球，微球粒径范围为0～1μm；微球的掺入量为0.02～0.08g
所述的纳米级的多面体MoS2由纳米片和圆球状结构组成；
制备方法包括：
SiO2、硫脲和钼酸铵制备成混合溶液，通过水热法进行电极材料的生长；
SiO2、硫脲和钼酸铵三者的质量比为0.02～0.08：1.304：0.7062。
7.根据权利要求6所述的SiO2-MoS2电极材料的制备方法，其特征在于，所述水热法的温度为180℃，水热法的反应时间为18h。
8.权利要求1-5任一权利要求所述的SiO2-MoS2电极材料用于制备电容器的应用。
9.权利要求6-7任一权利要求所述的SiO2-MoS2电极材料的制备方法制备得到的SiO2-MoS2电极材料用于制备电容器的应用。
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