[发明专利]一种TFT驱动背板及Micro-LED显示器

权利要求书

1.一种TFT驱动背板，所述TFT驱动背板包括一衬底基板；其特征在于，所述衬底基板的上方设有一有源层，所述有源层采用迁移率大于或等于30cm²/Vs的氧化物半导体材料制备；

所述衬底基板的下方设有一背面金属层，所述背面金属层包括一金属光阻挡层，所述金属光阻挡层相对于所述有源层设置。

2.如权利要求1所述的TFT驱动背板，其特征在于，所述氧化物半导体材料为含铟和锡，且迁移率大于或等于30cm²/Vs的氧化物半导体材料；或为含镓和锡，且迁移率大于或等于30cm²/Vs的氧化物半导体材料；或为含铟、氟和氧，且迁移率大于或等于30cm²/Vs的氧化物半导体材料。

3.如权利要求1所述的TFT驱动背板，其特征在于，所述有源层采用磁控溅射的方式制备。

4.如权利要求1所述的TFT驱动背板，其特征在于，所述金属光阻挡层的长度大于所述有源层的沟道区的长度，所述金属光阻挡层的宽度大于所述有源层的沟道区的宽度，且所述有源层的沟道区与所述金属光阻挡层中心对齐。

5.如权利要求1所述的TFT驱动背板，其特征在于，所述背面金属层还包括用于连接驱动芯片的一金属走线层。

6.如权利要求1所述的TFT驱动背板，其特征在于，所述衬底基板的上方还设有单层源/漏金属层或多层源/漏金属层。

7.如权利要求1所述的TFT驱动背板，其特征在于，所述TFT驱动背板进一步包括：

依次设于所述有源层上的一栅极绝缘层、一栅极；

一介电绝缘层，覆盖所述栅极、所述栅极绝缘层、所述有源层及所述衬底基板；以及

依次设于所述介电绝缘层上的一第一源/漏极金属层及一第一钝化层；

其中，所述有源层包括对应于所述栅极的沟道区及位于所述沟道区两侧的源/漏极接触区，所述第一源/漏极金属层包括源/漏极，所述源/漏极接触区与所述源/漏极之间设有第一通孔，所述源/漏极通过所述第一通孔与所述源/漏极接触区相接触。

8.如权利要求7所述的TFT驱动背板，其特征在于，所述TFT驱动背板进一步包括：

依次设于所述第一钝化层上的一第二源/漏极金属层、一第二钝化层、一第三源/漏极金属层及一第一透明导电层；

其中，所述第二源/漏极金属层包括电极连接线及第一驱动电源线，所述电极连接线及所述第一驱动电源线与所述源/漏极之间分别设有第二通孔，所述源/漏极分别通过相应的第二通孔与所述电极连接线及所述第一驱动电源线相连接；

所述第三源/漏极金属层包括阳极及第二驱动电源线，所述阳极与所述电极连接线之间设有第三通孔，所述阳极通过所述第三通孔与所述电极连接线相连接。

9.如权利要求7所述的TFT驱动背板，其特征在于，所述TFT驱动背板进一步包括：设于所述有源层及所述衬底基板之间的一缓冲层。

10.一种Micro-LED显示器，其特征在于，所述Micro-LED显示器包括如权利要求1-9任意一项所述的TFT驱动背板。