[发明专利]半导体装置结构

说明书

本发明实施例提供一种半导体装置结构。上述半导体装置结构包含半导体基底及设置于半导体基底内的第一阱，第一阱具有第一导电型态。上述半导体装置结构亦包含第一掺杂区，其镶入于第一阱内，具有与第一导电型态不同的第二导电型态。上述半导体装置结构更包含第二阱，其具有第二导电型态。此外，上述半导体装置结构包含第一金属电极及第二金属电极，第一金属电极设置于半导体基底的第一掺杂区上。第二金属电极设置于半导体基底的第二阱上。本发明提供了一种半导体装置结构，在电连接至高压端的区域设置阱取代浓度较大的掺杂区，能提升半导体装置结构作为静电保护装置的能力。

技术领域

本发明是有关于半导体装置结构，且特别是有关于一种具有静电保护电路的半导体装置结构。

背景技术

传统的集成电路中，半导体装置易于受到高压静电放电损伤，主要是因为晶体管的栅极氧化层结构较靠近漏极端，且离源极/体扩散区较远，导致当静电放电(ElectricalStatic Discharge)电流自漏极端流入时，其能量倾向朝着栅极介电层分布，而非流向源极、漏极掺杂区，致使栅极介电层被永久性地击穿(Zapped)。

在传统的半导体装置中，往往利用其他额外的静电保护器件避免晶体管器件被击穿，然而，额外的ESD保护器件增加整体集成电路的占据空间，且增加工艺的复杂度，导致高的制造成本。有鉴于此，需要一种改良式的半导体装置结构，使其具良好的静电放电防护能力。

发明内容

本发明实施例提供一种半导体装置结构。上述半导体装置结构包含半导体基底及设置于半导体基底内的第一阱，第一阱具有第一导电型态。上述半导体装置结构亦包含栅极结构，其设置于半导体基底的第一阱上。上述半导体装置结构更包含第一掺杂区，其镶入于第一阱内，具有与第一导电型态不同的第二导电型态。此外，上述半导体装置结构包含第二阱，其具有第二导电型态。第二阱与第一掺杂区位于栅极结构的相对两侧。上述半导体装置结构亦包含多个第一金属电极，其设置于半导体基底的第一掺杂区上。上述半导体装置结构更包含多个第二金属电极，其中一部分的第二金属电极设置于半导体基底的第二阱上。

本发明的一些实施例提供一种半导体装置结构。上述半导体装置结构包含一半导体基底及设置于半导体基底内的第一阱，其具有第一导电型态。上述半导体装置结构亦包含栅极结构，其设置于半导体基底的第一阱上。上述半导体装置结构更包含第一掺杂区及第二掺杂区，其具有第二导电型态。第一掺杂区镶入于第一阱内，第二掺杂区与第一掺杂区位于栅极结构的相对两侧。此外，上述半导体装置结构包含第二阱，其具有第二导电型态，第二阱与第一掺杂区位于栅极结构的相对两侧。上述半导体装置结构亦包含第一金属电极，其设置于半导体基底的第一掺杂区上。上述半导体装置结构更包含第二金属电极，其设置于半导体基底的第二阱上。第一掺杂区、第一阱及第二掺杂区构成第一双极性结；第一阱、第二阱及第二金属电极构成第二双极性结。

本发明的一些实施例提供一种半导体装置结构。上述半导体装置结构包含半导体基底。上述半导体装置结构亦包含第一、第二、第三、第四栅极结构于半导体基底上。上述半导体装置结构更包含第一金属电极，其设置于第一与第二栅极结构之间。第一金属电极与半导体基底之间形成肖特基接触。此外，上述半导体装置结构包含第二金属电极，其设置于第三、第四栅极结构之间。第二金属电极与半导体基底之间形成欧姆接触。第一金属电极与第二金属电极电连接至一高压端。

本发明提供了一种半导体装置结构，在电连接至高压端的区域设置阱取代浓度较大的掺杂区，能提升半导体装置结构作为静电保护装置的能力。

为让本发明实施例的特征、和优点能更明显易懂，下文特举出较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。

附图说明

以下将配合所附图式详述本发明的实施例。应注意的是，依据产业上的标准做法，各种特征并未按照比例绘制且仅用以说明例示。事实上，可能任意地放大或缩小器件的尺寸，以清楚地表现出本发明的特征。