[发明专利]半导体器件和形成该半导体器件的方法在审

专利信息
申请号: 201910670508.5 申请日: 2019-07-24
公开(公告)号: CN111341647A 公开(公告)日: 2020-06-26
发明(设计)人: 郑宇荣 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: H01L21/027 分类号: H01L21/027;G03F7/00
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 刘久亮;黄纶伟
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,该半导体器件包括:

转印接收基板,所述转印接收基板具有顶表面高度彼此不同的高区域和低区域;

转印接收图案层,所述转印接收图案层按照所述转印接收图案层的在所述高区域中的顶表面被平坦化并且所述转印接收图案层的在所述低区域中的顶表面设置有凹凸图案的方式,形成在所述转印接收基板的所述高区域和所述低区域上方;以及

平坦化层,所述平坦化层被形成为按照使得所述平坦化层的在所述高区域中的顶表面和所述平坦化层的在所述低区域中的顶表面被平坦化为基本相同水平的方式,对所述凹凸图案进行间隙填充。

2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述转印接收基板包括:

单元区域,在所述单元区域中形成有存储数据的存储器单元;以及

外围区域,在所述外围区域中形成有将数据写入所述存储器单元中或者从所述存储器单元读取数据的逻辑电路。

3.根据权利要求2所述的半导体器件,其中,

所述单元区域被设置在所述高区域中;并且

所述外围区域被设置在所述低区域中。

4.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述转印接收基板包括:

像素区域,在所述像素区域中形成有用于捕获用于图像感测的光并输出与所捕获的光对应的光信号的像素;以及

外围区域,在所述外围区域中形成有用于处理从所述像素读出的光信号的逻辑电路。

5.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述凹凸图案包括栅格图案和/或线和空间图案。

6.根据权利要求5所述的半导体器件,其中,所述凹凸图案被形成为向上突出,使得所述凹凸图案的高度高于所述转印接收图案层的在所述高区域中形成的顶表面的高度。

7.根据权利要求1所述的半导体器件,

其中,所述转印接收图案层包括光固化树脂层,并且

其中,所述转印接收基板的所述高区域和所述低区域分别是具有凸起顶表面的凸起区域和具有凹陷顶表面的凹陷区域。

8.一种用于形成半导体器件的方法,该方法包括以下步骤:

在包括顶表面高度彼此不同的高区域和低区域的转印接收基板上方形成光固化树脂层;

布置其中在图案表面的一些部分中形成有转印图案的模板和所述转印接收基板,使得所述转印图案被布置为面向所述低区域;

使用所述模板压制所述光固化树脂层,以将所述转印图案压印在所述光固化树脂上;

使所述光固化树脂层固化;

将所述模板与所述光固化树脂层分离,以形成仅在所述低区域上方形成凹凸图案的转印接收图案层;以及

在所述转印接收图案层上方形成平坦化层。

9.根据权利要求8所述的方法,该方法还包括以下步骤:

在所述转印接收基板上方形成所述光固化树脂层之前,用粘附促进剂处理所述转印接收基板的表面。

10.根据权利要求8所述的方法,该方法还包括以下步骤:

在所述转印接收基板上方形成所述光固化树脂层之后,执行所述光固化树脂层的软烘。

11.根据权利要求8所述的方法,其中,形成所述平坦化层的步骤包括以下步骤:

在所述转印接收图案层上方形成旋涂碳SOC层,以对所述凹凸图案进行间隙填充。

12.根据权利要求8所述的方法,该方法还包括以下步骤:

在使用模板压制所述光固化树脂层之前,使用抗粘附促进剂处理转印图案的表面。

13.根据权利要求8所述的方法,其中,形成所述转印接收图案层的步骤包括以下步骤:

使所述光固化树脂层的在所述高区域中的顶表面平坦化;以及

在所述低区域中的所述光固化树脂层上方形成所述凹凸图案。

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