[发明专利]包括噪声阻挡结构的图像感测装置有效
申请号: | 201910669912.0 | 申请日: | 2019-07-24 |
公开(公告)号: | CN111314633B | 公开(公告)日: | 2021-11-19 |
发明(设计)人: | 郭镐映;金钟殷 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H04N5/357 | 分类号: | H04N5/357;H04N5/369;H01L27/146 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘久亮;黄纶伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 噪声 阻挡 结构 图像 装置 | ||
公开了一种包括噪声阻挡结构的图像感测装置。该图像感测装置包括:半导体基板,其被构造为支撑多个图像像素和逻辑电路,所述多个图像像素在检测到入射光时生成信号,所述逻辑电路被配置为处理由所述图像像素生成的所述信号;以及噪声阻挡结构,其设置在半导体基板处并形成为围绕逻辑电路。噪声阻挡结构包括第一阻挡结构和第二阻挡结构。第一阻挡结构包括彼此间隔开的多个部分,所述多个部分中的每一个成一条线延伸而没有任何弯曲部分。第二阻挡结构设置在第一阻挡结构的所述多个部分之间并且包括与第一阻挡结构部分地交叠的部分。
技术领域
本专利文献所公开的技术和实现方式涉及一种图像感测装置。
背景技术
图像感测装置是利用对光做出反应的半导体特性来捕获至少一个图像的装置。近年来,随着计算机行业和通信行业的不断发展,在例如数字相机、摄像机、个人通信系统(PCS)、游戏机、监控相机、医疗微型相机、机器人等的各种领域中对高质量和高性能图像传感器的需求快速增加。
图像感测装置可大致分类为基于CCD(电荷耦合器件)的图像感测装置和基于CMOS(互补金属氧化物半导体)的图像感测装置。最近,由于模拟控制电路和数字控制电路可被直接实现为单个集成电路(IC),所以基于CMOS的图像感测装置迅速得以广泛使用。
发明内容
所公开的技术的各种实施方式涉及一种包括噪声阻挡结构的图像感测装置。所公开的技术的一些实现方式涉及一种图像感测装置,其能够有效地防止从嵌入其中的逻辑电路块产生的噪声泄漏到逻辑电路块之外并导致对图像感测装置的其它块的不期望的影响。
根据所公开的技术的实施方式,一种图像感测装置可包括:半导体基板,其被构造为支撑多个图像像素和逻辑电路,所述多个图像像素在检测到入射光时生成信号,所述逻辑电路被配置为处理由图像像素生成的信号;以及噪声阻挡结构,其设置在半导体基板处并形成为围绕逻辑电路。噪声阻挡结构可包括第一阻挡结构和第二阻挡结构。第一阻挡结构可包括彼此间隔开的多个部分,所述多个部分中的每一个部分成一条线延伸而没有任何弯曲部分。第二阻挡结构可设置在第一阻挡结构的所述多个部分之间并且包括与第一阻挡结构的所述多个部分局部地交叠的部分。
根据所公开的技术的另一实施方式,一种图像感测装置可包括:半导体基板,其被配置为包括图像像素和至少一个逻辑电路区域,所述图像像素在检测到入射光时生成信号,所述至少一个逻辑电路区域处理从图像像素生成的信号;以及噪声阻挡结构,其设置在半导体基板处。噪声阻挡结构可包括:第一阻挡结构,其不连续地围绕所述至少一个逻辑电路区域;以及第二阻挡结构,其设置在沿着第一阻挡结构的边界的一个或更多个开口处并且与第一阻挡结构交叠。
根据所公开的技术的另一实施方式,一种图像感测装置可包括:像素区域,其设置有在检测到入射光时生成信号的多个图像像素;逻辑区域,其位于像素区域的外侧。逻辑区域可包括:逻辑电路,其被配置为处理由图像像素生成的信号;多个第一噪声阻挡膜,其被配置为部分地围绕逻辑电路,各个第一噪声阻挡膜具有深沟槽隔离(DTI)结构;以及多个第二噪声阻挡膜,其设置在多个第一噪声阻挡膜之间,各个第二噪声阻挡膜具有浅沟槽隔离(STI)结构。
附图说明
当结合附图考虑时,所公开的技术的以上和其它特征和有益方面将参照以下详细描述而变得易于显而易见。
图1是示出基于所公开的技术的一些实现方式的图像感测装置的平面图的示例。
图2是示出沿着图1所示的线X-X’截取的图像感测装置的横截面图。
图3是示出基于所公开的技术的一些实现方式的噪声阻挡结构的平面图的示例。
图4是示出沿着图3所示的线A-A’截取的噪声阻挡结构的横截面图。
图5是示出沿着图3所示的线B-B’截取的噪声阻挡结构的横截面图。
图6的(a)和图6的(b)示出图像感测装置的噪声阻挡膜中发生的缺陷的示例。
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