[发明专利]发光装置以及制作发光装置的方法在审
申请号: | 201910668584.2 | 申请日: | 2019-07-23 |
公开(公告)号: | CN112310300A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 林小郎;蔡宗翰 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 侯奇慧 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 以及 制作 方法 | ||
1.一种发光装置,其特征在于,包括:
多个发光元件;
一基板;
一挡墙,设置于所述基板上,且所述挡墙具有多个开口,所述多个开口分别对应所述多个发光元件,其中所述挡墙具有远离所述基板的一第一表面;以及
多个光转换单元,设置于所述基板上,且所述多个光转换单元中的一者设置于所述多个开口中的一者中,其中所述多个光转换单元中的所述者具有远离所述基板的一第二表面;
其中所述第一表面的高度大于所述第二表面的高度。
2.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,所述挡墙的所述高度介于4微米与30微米之间。
3.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,所述挡墙为多层结构。
4.如权利要求3所述的发光装置,其特征在于,所述多层结构包括一第一子层以及一第二子层,且所述第二子层设置于位于所述第一子层上。
5.如权利要求4所述的发光装置,其特征在于,所述第一子层的高度小于所述第二子层的高度。
6.如权利要求4所述的发光装置,其特征在于,所述第一子层与所述第二子层在不同的步骤中制成。
7.如权利要求4所述的发光装置,其特征在于,所述第一子层具有一第一侧壁,所述第二子层具有一第二侧壁,且所述第一侧壁相对于所述基板的锐角小于所述第二侧壁相对于所述基板的锐角。
8.如权利要求4所述的发光装置,其特征在于,所述第一子层中的氟浓度不同于所述第二子层中的氟浓度。
9.如权利要求4所述的发光装置,其特征在于,所述第一子层的底部宽度大于所述第二子层的底部宽度。
10.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,所述多个光转换单元中的一者包括磷光材料、荧光材料或量子点粒子。
11.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,还包括一像素定义层,所述像素定义层包括另多个开口,所述另多个开口对应所述多个开口。
12.一种制作发光装置的方法,其特征在于,包括:
提供一基板;
在所述基板上设置多个发光元件;
在所述多个发光元件上设置一绝缘层;
图案化所述绝缘层,以形成一挡墙,其中所述挡墙定义出多个凹洞,对应所述多个发光元件;
在所述多个凹洞的至少一部分中填入一光转换溶液;以及
烘干所述光转换溶液;
其中所述挡墙用于在所述多个凹洞的至少所述部分中填入所述光转换溶液的步骤中阻挡光转换溶液溢出。
13.如权利要求12所述的制作发光装置的方法,其特征在于,在所述多个凹洞的至少所述部分中填入所述光转换溶液的步骤中,所述挡墙的表面的高度高于所述光转换溶液的表面的高度。
14.如权利要求12所述的制作发光装置的方法,其特征在于,在所述多个凹洞的至少所述部分中填入所述光转换溶液的步骤中,所述挡墙的所述高度介于4微米与30微米之间。
15.如权利要求12所述的制作发光装置的方法,其特征在于,在所述多个发光元件上设置所述绝缘层的步骤包括在基板上设置一第一子层,以及在所述第一子层上设置一第二子层。
16.如权利要求15所述的制作发光装置的方法,其特征在于,在所述多个发光元件上设置所述绝缘层的步骤中,所述第一子层的高度小于所述第二子层的高度。
17.如权利要求12所述的制作发光装置的方法,其特征在于,还包括对所述挡墙进行一疏水表面处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择