[发明专利]摄像装置和电子设备有效
申请号: | 201910659888.2 | 申请日: | 2014-06-24 |
公开(公告)号: | CN110416252B | 公开(公告)日: | 2023-07-28 |
发明(设计)人: | 广瀬遥平 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H10K39/32 | 分类号: | H10K39/32;H10K39/38;H10K30/88 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 郭晓东 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 摄像 装置 电子设备 | ||
1.一种摄像装置,包括:
像素区域,多个像素以矩阵方式排列在所述像素区域中,
形成在基板上的多个第一电极膜;
有机光电转换膜,布置在所述多个第一电极膜之上;
第二电极膜,布置在所述有机光电转换膜之上;以及
金属配线膜,电连接到该第二电极膜,
其中,所述多个像素中的每个由多个第一电极膜中的一个、有机光电转换膜和第二电极膜的面向多个第一电极膜中的所述一个的各自部分组成,
其中,该金属配线膜覆盖该有机光电转换膜的整个端部,并且所述金属配线膜还覆盖所述多个像素中的一个或多个,并且
其中,该有机光电转换膜包括设置在各个像素中的多个岛状膜,并且该金属配线膜覆盖每一个该岛状膜的整个端部。
2.根据权利要求1所述的摄像装置,其中
所述金属配线膜由W、Al、Ti、Mo、Ta或Cu,或者包含其中一种或多种的合金,或者包含其中一种或多种以及Si的材料制成。
3.根据权利要求2所述的摄像装置,还包括覆盖该有机光电转换膜和该第二电极膜的保护膜,该保护膜形成在该有机光电转换膜和该金属配线膜之间。
4.根据权利要求3所述的摄像装置,其中
该保护膜是氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧化铝膜或者包含其中两种或更多种的叠层膜。
5.根据权利要求3所述的摄像装置,其中
该保护膜包括第一保护膜和第二保护膜,该第一保护膜覆盖该第二电极膜的上表面,该第二保护膜覆盖该有机光电转换膜和该第一保护膜。
6.根据权利要求3所述的摄像装置,其中
该保护膜具有设置为与该第二电极膜相对的一个或多个开口,并且
该金属配线膜通过该一个或多个开口与该第二电极膜接触。
7.根据权利要求1所述的摄像装置,其中
所述金属配线膜具有多个开口,所述多个开口中的每一个与未被金属配线膜覆盖的像素区域中的一个像素相对。
8.根据权利要求1所述的摄像装置,其中
被所述金属配线膜覆盖的一个或多个像素用于获取黑电平像素信号。
9.一种电子设备,包括:
根据权利要求1至8中的任一项所述的摄像装置;以及
信号处理电路,该信号处理电路对从该摄像装置输出的像素信号进行预定的处理。
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