[发明专利]一种热丝法CVD金刚石过渡层溅射设备及其使用方法

权利要求书

1.一种热丝法CVD金刚石过渡层溅射设备，包括真空腔体(4)、与真空腔体(4)连接的分子泵(2)以及与分子泵(2)连接的机械泵(1)，所述分子泵(2)与真空腔体(4)之间设置有真空阀门(3)，其特征在于：所述真空腔体(4)的左右两端均设置有进气口，且真空腔体(4)的内腔上侧设置有磁控溅射源(5)，所述磁控溅射源(5)与真空腔体(4)之间通过位于真空腔体(4)外侧的溅射电源连接，且真空腔体(4)的内腔下侧转动连接有工件台(8)，所述工件台(8)连接有电机，且工件台(8)上设置有基体(9)，所述基体(9)与真空腔体(4)之间通过位于真空腔体(4)外侧的脉冲偏压电源连接，且真空腔体(4)的内腔左右插接有向下伸出的位于工件台(8)左右两侧的两个灯丝电极(6)，两个灯丝电极(6)的下端之间通过灯丝电源连接，且两个灯丝电极(6)的上端之间通过灯丝(7)连接，所述真空腔体(4)内充满反应气体(10)。

2.根据权利要求1所述的一种热丝法CVD金刚石过渡层溅射设备，其特征在于：所述溅射电源为直流电源。

3.根据权利要求1或2所述的一种热丝法CVD金刚石过渡层溅射设备及其使用方法，其特征在于：所述磁控溅射源(5)内带气孔的靶材为高熔点金属。

4.根据权利要求3所述的一种热丝法CVD金刚石过渡层溅射设备，其特征在于：所述高熔点金属为钼或者钨。

5.根据权利要求4所述的一种热丝法CVD金刚石过渡层溅射设备及其使用方法，其特征在于：所述反应气体(10)为氩气。

6.根据权利要求5所述的一种热丝法CVD金刚石过渡层溅射设备的使用方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1：预抽真空：通过机械泵(1)抽真空，真空度小于0.01Pa为止；

S2：温度设置：温度290～310℃，本底真空为0.004～0.005Pa，开启氩气110～130scm，溅射功率为0.8～1.2kw，脉冲偏压电源的偏压为200v，蚀刻时间为25～35min；

S3：溅射设置：磁控溅射源(5)的靶材功率4.5～5.5kw，工作气压为0.2～0.3Pa，脉冲偏压电源的偏压为45～55v；

S4：灯丝设置：灯丝(7)的功率为16～20KW,气压2000～2400Pa，沉积时间340～380min；

S5：溅射：先用机械泵(1)抽真空，当真空度到达小于5Pa时，开启分子泵抽(2)抽气，当真空度小于0.005Pa时候，开启溅射工作、蚀刻工作和沉积过渡层。