[发明专利]薄膜体声波谐振器及其制造方法和滤波器、射频通信系统

权利要求书

1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括：

第一衬底及设置于所述第一衬底上的支撑层，所述支撑层中设置有顶部开口的空腔；

盖设于空腔上的压电叠层，包括依次设置在所述支撑层上的第一电极、压电层和第二电极，所述压电叠层包括位于所述空腔中央上方的有效谐振区和包围所述效谐振区的无效谐振区；

至少两个沟槽，分布于所述有效谐振区和无效谐振区的交界处以界定有效谐振区的范围，所述沟槽包括第一沟槽和第二沟槽，所述第二沟槽贯穿所述第二电极和所述压电层，所述第一沟槽贯穿所述第一电极和所述压电层并与所述空腔连通。

2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第一沟槽的侧壁与所述第二电极所在平面的夹角为钝角，所述第二沟槽的侧壁与所述第一电极所在平面的夹角为钝角。

3.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述支撑层与第一衬底键合连接。

4.根据权利要求3所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述键合的方式包括热压键合和干膜键合。

5.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述有效谐振区在所述压电层所在平面的投影为多边形，且所述多边形的任意两边不平行。

6.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第一电极还包括第一电极搭接区和第一电极谐振区，所述第一电极谐振区与所述有效谐振区重叠，所述第一电极搭接区连接第一电极谐振区和所述支撑层。

7.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第二电极还包括第二电极搭接区和第二电极谐振区，所述第二电极谐振区与所述有效谐振区重叠，所述第二电极搭接区连接第二电极谐振区和所述空腔外围的压电叠层，所述第二电极搭接区与所述第一电极搭接区在所述压电层平面的投影不重叠。

8.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述支撑层的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅中的至少一种。

9.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电层的材料包括氮化铝、氧化锌、锆钛酸铅、铌酸锂、石英、铌酸钾中的至少一种。

10.一种滤波器，其特征在于，包括至少一个如权利要求1至9中任一项所述的薄膜体声波谐振器。

11.一种射频通信系统，其特征在于，包括至少一个如权利要求10所述的滤波器。

12.一种薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，包括：提供第二衬底，在所述第二衬底上形成压电叠层，所述压电叠层包括依次形成在所述第二衬底上的第二电极层、压电层及第一电极层；

在所述第一电极层上形成支撑层，在所述支撑层中形成具有开口的空腔以暴露部分所述第一电极层；

刻蚀所述第一电极层和所述压电层形成至少一个第一沟槽，所述第一沟槽与所述空腔连通；

提供第一衬底，将所述第一衬底与所述支撑层键合以封闭所述空腔的开口；

去除所述第二衬底；

刻蚀所述第二电极层和所述压电层形成至少一个第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽在所述压电层所在平面上的投影围成有效谐振区。

13.如权利要求12所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，在所述刻蚀所述第一电极层和所述压电层形成至少一个第一沟槽步骤中，包括：通过第一光罩图形，刻蚀所述第一电极层和所述压电层，形成至少一个所述第一沟槽，所述第一沟槽的侧壁与所述第二电极层所在平面的夹角为钝角。