[发明专利]一种稠环二吡咯烯及其合成方法有效
| 申请号： | 201910656576.6 | 申请日： | 2019-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN110183466B | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 李成杰;刘秀军;解永树 | 申请（专利权）人： | 华东理工大学 |
| 主分类号： | C07D495/04 | 分类号： | C07D495/04;C07D209/62;C09B57/00;G01N21/64 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 岳泉清 |
| 地址： | 200030 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 稠环二 吡咯 及其 合成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.稠环二吡咯烯的制备方法，其特征在于：该方法按照以下步骤进行：
步骤一：将砜基二吡咯烯和苯醌混合于溶剂内，避光加热进行加成反应；
步骤二：将步骤一得到的产物置于空气中进行氧化反应，得到双加成产物5-(3,5-二叔丁基)-双萘醌并二吡咯烯；
双加成产物5-(3,5-二叔丁基)-双萘醌并二吡咯烯的结构式为：
；
所述砜基二吡咯烯结构式为：
。
2.根据利要求1所述的稠环二吡咯烯的制备方法，其特征在于：步骤一所述砜基二吡咯烯和苯醌的质量比为（1 ~ 5）：10。
3.根据利要求1或2所述的稠环二吡咯烯的制备方法，其特征在于：步骤一所述溶剂为邻二氯苯。
4.根据利要求3所述的稠环二吡咯烯的制备方法，其特征在于：步骤一所述加热温度为90～150℃。
5.根据利要求1、2或4所述的稠环二吡咯烯的制备方法，其特征在于：步骤一中在惰性气体保护气氛下进行。
6.根据利要求5所述的稠环二吡咯烯的制备方法，其特征在于：步骤二所述氧化反应在室温条件下进行。
7.根据利要求6所述的稠环二吡咯烯的制备方法，其特征在于：步骤二所述氧化反应时间至少为1天。
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