[发明专利]扇形阵列探测器层析γ扫描核废物桶检测装置及检测方法

权利要求书

1.采用扇形阵列探测器层析γ扫描核废物桶检测装置进行检测的方法，其特征在于，

所述扇形阵列探测器层析γ扫描核废物桶检测装置，包括透射源升降装置(1)、核废物桶旋转平台(2)、阵列探测器升降装置(3)；

所述透射源升降装置(1)、核废物桶旋转平台(2)以及阵列探测器升降装置(3)沿直线分布，且所述核废物桶旋转平台(2)位于透射源升降装置(1)与阵列探测器升降装置(3)之间；

所述透射源升降装置(1)上设置有可上下升降的升降平台(11)；所述升降平台(11)上设置有透射源准直器(12)；所述核废物桶旋转平台(2)上设置有核废物桶(21)；所述阵列探测器升降装置(3)上设置有可上下升降的探测器升降平台(4)；所述探测器升降平台(4)上设置有扇形分布的探测器准直器(5)；所述探测器准直器(5)位于以透射源(12)为中心的圆的直径上；

还包括以下步骤：

S1、无桶时，打开透射源，获取透射源各峰的透射峰面积，记为Sbef；

S2、在核废物桶旋转平台(2)上安装核废物桶(21)；打开透射源，获取透射源各峰的透射峰面积，记为Sbeh；

S3、关闭透射源，进行发射测量，获取桶内自身放射性；

S4、衰减系数校正及活度计算；

S5、启动透射源升降装置(1)和阵列探测器升降装置(3)使得升降平台(11)和探测器升降平台(4)同时上升同一高度；

S6、重复步骤S2至S4；进行下一层测量；直到透射源升降装置(1)和阵列探测器升降装置(3)上升到核废物桶(21)的最高层；

在步骤S4中采用以下步骤衰减系数校正及活度计算：

S41、将能量、Sbef、Sbeh作为函数参数，计算得到衰减系数参数，并保存；

其计算公式为：

其中，μ为计算得到的线衰减系数，r为桶半径；

S42、识别衰减系数校正方法；提供两种衰减系数校正方法供选择：

线性，公式如下：

μ＝exp(a*ln(E)+b)

其中，μ为计算得到的线衰减系数，E为特征能量，a、b为常数；

或者多项式，公式如下：

μ＝exp(a*ln²(E)+b*ln(E)+c)

其中，μ为计算得到的线衰减系数，E为特征能量，a、b、c为常数；

S43、获取效率刻度系数；

S44、计算并保存当前层的活度，以待后用。

2.如权利要求1所述的采用扇形阵列探测器层析γ扫描核废物桶检测装置进行检测的方法，其特征在于：所述透射源准直器(12)材质为铅，所述透射源准直器(12)的准直孔内径为5.2mm，深度为120mm，厚度为120mm；准直孔孔壁为黄铜，厚度2mm。

3.如权利要求2所述的采用扇形阵列探测器层析γ扫描核废物桶检测装置进行检测的方法，其特征在于：所述探测器准直器(5)材质为铅，所述探测器准直器(5)的准直孔内径为75mm，外径为175mm，深75mm；准直孔孔壁为黄铜，厚度2mm。

4.如权利要求1所述的采用扇形阵列探测器层析γ扫描核废物桶检测装置进行检测的方法，其特征在于：所述核废物桶旋转平台(2)包括第二伺服电机、旋转台支架、旋转台底板、旋转台轴承座、旋转台主轴、角接触轴承；

所述核废物桶(21)通过旋转台支架安装在旋转台底板上；所述第二伺服电机安装在旋转台轴承座内，所述旋转台底板安装在旋转台轴承座上；所述旋转台底板与旋转台轴承座之间设置有角接触轴承；所述第二伺服电机通过旋转台主轴驱动旋转台底板转动，所述旋转台支架设置在旋转台底板上；

所述旋转台底板与旋转台支架连接，所述旋转台底板通过第二伺服电机驱动实现对置于旋转台支架上的核废物桶(21)的转动。